【技术实现步骤摘要】
分离卤代硅烷的方法本申请是申请日为2015年9月1日、申请号为201580059685.X、国际申请号为PCT/US2015/047983的名称为“分离卤代硅烷的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。对相关申请的交叉引用本申请要求2014年9月4日提交的美国临时申请No.62/045,622的权益，其全文经此引用并入本文。公开领域本公开的领域涉及分离卤代硅烷的方法，特别是涉及使用具有将塔分成主部和侧部的隔板的蒸馏塔生产三个卤代硅烷馏分的方法。本公开的领域还涉及通过卤代硅烷的歧化生产硅烷的方法和系统和生产多晶硅的方法。背景多晶硅是用于生产许多商品，包括例如集成电路和光伏(即太阳能)电池的重要原材料。多晶硅通常通过化学气相沉积机制生产，其中由可热分解的硅化合物将硅在流化床反应器中沉积到硅粒子上或如在Siemens型反应器中沉积到电加热硅棒上。晶种粒子的尺寸不断增长直至它们作为多晶硅产品(即“颗粒状”多晶硅)离开反应器。合适的可分解硅化合物包括例如硅烷和卤代硅烷，如三氯硅烷。可以如出于所有相关和相容的目的经...
【技术保护点】
1.一种分离卤代硅烷的方法，其包括：/n将第一卤代硅烷、第二卤代硅烷和第三卤代硅烷引入卤代硅烷蒸馏塔，第一卤代硅烷具有小于第二卤代硅烷的沸点，第二卤代硅烷具有小于第三卤代硅烷的沸点，所述蒸馏塔包含将所述塔分成主部和侧部的隔板；/n取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第一卤代硅烷的塔顶馏分；/n作为侧馏分从所述塔的侧部取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第二卤代硅烷的侧馏分；和/n取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第三卤代硅烷的塔底馏分。/n
【技术特征摘要】
20140904 US 62/045,6221.一种分离卤代硅烷的方法，其包括：
将第一卤代硅烷、第二卤代硅烷和第三卤代硅烷引入卤代硅烷蒸馏塔，第一卤代硅烷具有小于第二卤代硅烷的沸点，第二卤代硅烷具有小于第三卤代硅烷的沸点，所述蒸馏塔包含将所述塔分成主部和侧部的隔板；
取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第一卤代硅烷的塔顶馏分；
作为侧馏分从所述塔的侧部取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第二卤代硅烷的侧馏分；和
取出相对于引入蒸馏塔的进料集合富集第三卤代硅烷的塔底馏分。
2.如权利要求1中所述的方法，其中第一卤代硅烷是二卤代硅烷，第二卤代硅烷是三卤代硅烷，且第三卤代硅烷是四卤化硅。
3.如权利要求2中所述的方法，其中将单卤代硅烷引入所述蒸馏塔，所述塔顶馏分相对于引入蒸馏塔的进料集合富集单卤代硅烷。
4.如权利要求1至3任一项中所述的方法，其中所述蒸馏塔在大约200kPa表压至大约2000kPa表压或大约200kPa表压至大约1500kPa表压、大约200kPa表压至大约1000kPa表压、大约400kPa表压至大约2000kPa表压或大约800kPa表压至大约2000kPa表压的如在塔顶测得的压力下运行。
5.如权利要求1至4任一项中所述的方法，其中所述蒸馏塔包括冷凝器，所述冷凝器的温度为大约20℃至大约120℃或大约40℃至大约120℃、大约60℃至大约120℃、大约20℃至大约100℃或大约20℃至大约80℃。
6.如权利要求1至5任一项中所述的方法，其中所述蒸馏塔具有再沸器，所述再沸器的温度为大约90℃至大约200℃或大约90℃至大约180℃、大约90℃至大约150℃、大约110℃至大约200℃或大约140℃至大约200℃。
7.如权利要求1至6任一项中所述的方法，其中卤代硅烷面对隔板引入蒸馏塔，并面对隔板取出富集第二卤代硅烷的侧馏分。
8.如权利要求1中所述的方法，其中所述蒸馏塔包含冷凝器和再沸器，所述蒸馏塔在大约200kPa表压至大约2000kPa表压的压力下运行，冷凝器温度为大约20℃至大约120℃，再沸器温度为大约90℃至大约200℃，富集第一卤代硅烷的塔顶馏分具有80％的纯度，富集第二卤代硅烷的侧馏分具有80％的纯度，且富集第三卤代硅烷的塔底馏分具有95％的纯度。
9.一种通过卤代硅烷的歧化生产硅烷的方法，所述方法包括：
根据权利要求1至8任一项的方法分离卤代硅烷，第一卤代硅烷是二卤代硅烷，第二卤代硅烷是三卤代硅烷，且第三卤代硅烷是四卤化硅；
将由所述蒸馏塔产生的侧馏分引入第一歧化反应器以产生包含二卤代硅烷和四卤化硅的第一歧化反应器产物料流，将第一歧化反应器产物料流引入所述蒸馏塔；
将第一歧化反应器产物料流引入所述蒸馏塔；和
将由所述蒸馏塔产生的塔顶馏分引入第二歧化反应器以产生包含硅烷和三卤代硅烷的第二歧化反应器产物料流。
10.如权利要求9中所述的方法，其进一步包括：
将第二歧...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·蓬努斯瓦迈，N·R·科塔，S·布萨拉普，P·古普塔，
申请(专利权)人：各星有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;HK
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