用于提取液体的系统和方法技术方案

提供了一种用于提取液体的系统。该系统包括真空源和喷嘴，该喷嘴具有可润湿的柱塞和与真空源流动连通地连接的真空管。当柱塞部分地浸没在液体中并且真空源被致动以引发气体流经真空管时，液体的液滴与柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中。该系统还包括冷却结构，该冷却结构定位在真空管附近，以有利于使悬浮在流经真空管的气体中的液滴凝固。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提取液体的系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月30日提交的美国临时专利申请No.62/272,959的优先权，该文献的全部公开内容通过引用结合在本文中。
本公开的领域总体上涉及用于提取液体的系统和方法，并且更具体地涉及用于真空提取熔融液体的系统和方法。
技术介绍
单晶硅(“单晶硅”)通常使用提拉法(Cz)或连续提拉法(CCz)来生产。两种方法都包括在坩埚中熔化多晶硅(“多晶硅”)颗粒并将单晶硅籽晶浸入熔融硅中。当籽晶开始熔化时，籽晶以预定的速率从熔融硅中被缓慢地提取，这使得籽晶生长成单晶硅晶锭。一旦晶锭达到所需尺寸，就移除晶锭，并将另一籽晶浸入熔融硅中并缓慢地提取以生长另一晶锭。当重复该过程以生长大量晶锭时，坩埚内的污染物的含量逐渐增加。在达到临界含量时，污染物的增加可能导致生产停止，在此期间污染的硅被移除并被新的硅替换。然而，这种停止会不合需要地增加生产成本，并且在晶锭生长的同时去除污染的硅将是有用的。此
技术介绍
部分旨在向读者介绍可能与下文中描述和/或要求权利的本专利技术的各个方面有关的现有技术的各个方面。相信此讨论对于提供给读者背景信息以利于更好地理解本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提取液体的系统，所述系统包括：真空源；喷嘴，其具有可润湿的柱塞和真空管，所述真空管与真空源流动连通地连接，使得当所述柱塞部分地浸没在液体中并且所述真空源被致动以引发气体流经所述真空管时，液体的液滴与所述柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中；和冷却结构，其定位在所述真空管附近，以有利于使悬浮在流经所述真空管的气体中的液滴凝固。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.30 US 62/272,9591.一种用于提取液体的系统，所述系统包括：真空源；喷嘴，其具有可润湿的柱塞和真空管，所述真空管与真空源流动连通地连接，使得当所述柱塞部分地浸没在液体中并且所述真空源被致动以引发气体流经所述真空管时，液体的液滴与所述柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中；和冷却结构，其定位在所述真空管附近，以有利于使悬浮在流经所述真空管的气体中的液滴凝固。2.根据权利要求1所述的系统，进一步包括保持储器，所述真空管穿过所述保持储器与所述真空源流动连通地连接，使得凝固的液滴能收集在所述保持储器中。3.根据权利要求1所述的系统，进一步包括载气源和与所述载气源流动连通地连接的载气管，其中所述载气管同心地包围所述真空管。4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述载气管和所述真空管各自具有远端表面，所述远端表面构造成有利于载气流从所述载气管向所述真空管中的更平顺过渡。5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述柱塞具有包括多个周向地隔开的通道的外表面。6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述冷却结构是液体冷却式冷却结构。7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述冷却结构是单晶硅生产组件的水冷式套管。8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述单晶硅生产组件构造成通过提拉(Cz)或连续提拉(CCz)法来生长单晶硅晶锭。9.一种用于提取液体的方法，所述方法包括：将可润湿柱塞的一部分浸没在液体中，使得在所述柱塞的未浸没部分上形成一液体层；向所述液体层周围的气体环境施加真空压力以使得液体的液滴与所述柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在流过所述液体层的气体中；以及冷却液滴以使得液滴在悬浮于气流中时凝固。10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括向环境供给惰性气体。11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括通...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·L·金贝尔，
申请(专利权)人：各星有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港,81