高电压半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高电压半导体器件及其制造方法。所述高电压半导体器件包括：第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；第一绝缘图案，其设置在半导体区的第一区域之上以具有第一厚度；第二绝缘图案，其设置在半导体区的第二区域之上以具有大于第一厚度的第二厚度；以及栅电极，其设置在第一绝缘图案和第二绝缘图案之上以在第一区域与第二区域之间的边界区域之上具有台阶结构。栅电极具有以下掺杂分布：在第一区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置位于与在第二区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置基本相同的水平高度。

【技术实现步骤摘要】
高电压半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月11日提交的申请号为10-2018-0066709的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开的各种实施例涉及高电压半导体器件及其制造方法。
技术介绍
兼具控制器和驱动器功能的集成电路可以用在智能型电源设备(smartpowerdevice)中。智能型电源设备的输出电路可以被设计为包括在高电压下工作的横向双扩散MOS(LDMOS)晶体管。因此，LDMOS晶体管的击穿电压(例如漏极结击穿电压和栅极电介质击穿电压)是可能直接影响LDMOS晶体管的稳定工作的重要因素。另外，LDMOS晶体管的导通电阻(Ron)值也可以是可能影响LDMOS晶体管的电特性(例如，LDMOS晶体管的电流驱动能力)的重要因素。
技术实现思路
各种实施例涉及高电压半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，所述高电压半导体器件包括：第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；第一绝缘图案，其设置在半导体区的第一区域之上且具有第一厚度；第二绝缘图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电压半导体器件，包括：/n第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；/n第一绝缘图案，其设置在所述半导体区的所述第一区域之上以具有第一厚度；/n第二绝缘图案，其设置在所述半导体区的所述第二区域之上以具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及/n栅电极，其设置在所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案之上，以在所述第一区域和所述第二区域之间的边界区域之上具有台阶结构，/n其中，所述栅电极具有以下掺杂分布：在所述第一区域之上分布在所述栅电极中的杂质离子的最大射程的位置位于与在所述第二区域之上分布在所述栅电极中的杂质离子的最大射程的位置实质上相同的水平高度。/n

【技术特征摘要】
20180611 KR 10-2018-00667091.一种高电压半导体器件，包括：
第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；
第一绝缘图案，其设置在所述半导体区的所述第一区域之上以具有第一厚度；
第二绝缘图案，其设置在所述半导体区的所述第二区域之上以具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及
栅电极，其设置在所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案之上，以在所述第一区域和所述第二区域之间的边界区域之上具有台阶结构，
其中，所述栅电极具有以下掺杂分布：在所述第一区域之上分布在所述栅电极中的杂质离子的最大射程的位置位于与在所述第二区域之上分布在所述栅电极中的杂质离子的最大射程的位置实质上相同的水平高度。


2.如权利要求1所述的高电压半导体器件，
其中，所述第一区域与所述栅电极的一部分和所述第一绝缘图案垂直重叠；以及
其中，所述第二区域与所述栅电极的另一部分和所述第二绝缘图案垂直重叠。


3.如权利要求1所述的高电压半导体器件，
其中，所述第一绝缘图案为栅极绝缘图案；以及
其中，所述第二绝缘图案为场板绝缘图案。


4.如权利要求1所述的高电压半导体器件，
其中，所述第一绝缘图案的底表面位于与所述第二绝缘图案的底表面实质上相同的水平高度；以及
其中，所述第二绝缘图案的顶表面位于高于所述第一绝缘图案的顶表面的水平高度的水平高度。


5.如权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案中的每一个包括氧化物层。


6.如权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述栅电极在所述第一区域之上的厚度与所述栅电极在所述第二区域之上的厚度实质上相等。


7.如权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述栅电极在所述第二区域之上的顶表面位于高于所述栅电极在所述第一区域之上的顶表面的水平高度的水平高度。


8.如权利要求7所述的高电压半导体器件，其中，所述栅电极在所述第一区域之上的顶表面与所述栅电极在所述第二区域之上的顶表面之间的水平高度差与所述第一区域之上的所述第一绝缘图案的顶表面与所述第二区域之上的所述第二绝缘图案的顶表面之间的水平高度差实质上相等。


9.如权利要求1所述的高电压半导体器件，还包括：
第一导电类型的主体区，其设置在所述半导体区的上部中；
第二导电类型的源极区，其设置在所述第一导电类型的主体区的上部中；以及
第二导电类型的漏极区，其设置在所述半导体区的上部中。


10.如权利要求9所述的高电压半导体器件，其中，所述第二区域之上的所述第二绝缘图案延伸到所述漏极区的一部分上。


11.一种制造高电压半导体器件的方法，所述方法包括：
在具有第一导电类型的半导体区的第一区域和第二区域之上形成栅极图案，其中，所述栅极图案在所述第一区域与所述第二区域之间的边界区域之上具有台阶状表面轮廓；
形成覆盖所述栅极图案的平坦化的离子注入缓冲层，其中，所述平坦化的离子注入缓冲层在所述第一区域之上的厚度不同于所述平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴淳烈，金伦亨，柳惟信，
申请(专利权)人：爱思开海力士系统集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR