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本发明公开了一种高电压半导体器件及其制造方法。所述高电压半导体器件包括：第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；第一绝缘图案，其设置在半导体区的第一区域之上以具有第一厚度；第二绝缘图案，其设置在半导体区的第二区域之上以具有大于第一...
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