一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，包括以下步骤：一）超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；二）放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；三）碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃。本发明专利技术同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗，但本发明专利技术一方面增加清洗液设计，使其在APM溶液之后使用，可以对单晶硅片的表面有机物进行清理，同时可以对APM溶液清理后残留的微粒再次进行清理，从而提高清洗效果。

A cleaning process for cleaning solar monocrystalline silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺
本专利技术涉及单晶硅制备
，具体为一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺。
技术介绍
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。其中，硅片表面的洁净度及表面态对高质量的光伏器件至关重要。硅片经过线切割加工，钢线的磨损、碳化硅的磨削以及切割液的残留，都不可避免的造成了硅片表面的脏污。硅片清洗的目的就在于清除晶片表面的颗粒、金属和有机物等脏污，如果硅片的清洗效果达不到要求，无论其他工序工艺条件多么优越，都无法最终制造出高品质的光伏电池器件。目前的单晶硅片的清洗方法主要有湿式化学清洗、机械式清洗和干式化学清洗等清洗方法，其中湿式化学清洗是目前应用最广泛的清洗方法，需要根据硅片选择适合的试剂和洗液，APM试剂用于清洗微粒，HPM试剂用于清洗金属和有机物，但是目前的湿式清洗方法简单，只能对单晶硅片进行浅中度清洗，在采用APM清洗和HPM清洗过程中，利用浸泡清洗法或超声波清洗法对单晶硅片进行清洗，但是对于1um的微粒去除效果一般，并且对于大块污染和颗粒无法得到有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；/n放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；/n碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃；/n排液和冲洗：将步骤三）清洗后的废液排出，并将步骤2）储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗，冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作；/n清洗液清洗：将清洗液加入步骤四）中的超声清洗机内，单晶硅片在清...

【技术特征摘要】
1.一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；
放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；
碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃；
排液和冲洗：将步骤三）清洗后的废液排出，并将步骤2）储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗，冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作；
清洗液清洗：将清洗液加入步骤四）中的超声清洗机内，单晶硅片在清洗液中清洗20～30min，清洗温度为60～75℃；
等离子水一次冲洗：将步骤五）中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内，利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗，冲洗时间为10～15min；
酸性清洗：往步骤六）中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中，并加入HPM溶液进行清洗，清洗时间为8～15min，清洗温度为80～120℃；
等离子水二次冲洗：往步骤七）中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗，冲洗时间为5～10min；
烘干...

【专利技术属性】
技术研发人员：张大鹏，
申请(专利权)人：南通晶耀新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32