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本发明公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，包括以下步骤：一）超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；二）放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出...
该专利属于南通晶耀新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通晶耀新能源有限公司授权不得商用。

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