The invention relates to the technical field of OLED, in particular to an OLED structure for improving the packaging effect, including a substrate, on which an anode is deposited, on which a rough concave convex surface structure is prepared by etching in the metal cathode contact area; on the substrate, an OLED device layer is deposited in the middle of the metal contact areas on both sides, and on the OLED device layer, a packaging layer is deposited. After adopting the above structure and method, the invention optimizes the base structure, can significantly improve the contact force between the metal cathode at the edge of the OLED device and the base, thereby improving the subsequent packaging effect and improving the service life of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种提升封装效果的OLED结构及其制作方法
本专利技术涉及OLED
，特别是一种提升封装效果的OLED结构及其制作方法。
技术介绍
现有的有机电致发光二极管（OLED）制备过程中，阴极（Cathode）金属膜层为通过低温蒸镀方式沉积，往往由于边缘部（Edge）金属膜层与基底接触力不够或基底的洁净度（异物）影响，导致Edge部金属膜层的致密性较差，易受外界影响而脱落。在封装后，水汽/氧气也极易从此处突破腐蚀器件，最终会导致器件损坏，降低了产品的使用寿命。中国专利技术专利申请CN108649063A公开了一种OLED基板，包括显示区和位于所述显示区外侧的GOA区，所述GOA区设置有信号走线层，所述显示区设置有OLED像素，所述OLED像素的阴极与所述信号走线层搭接连接，所述阴极与所述信号走线层的搭接面呈凹凸起伏状。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种提高Edge部阴极金属膜层的与基底的接触面积和接触力的OLED结构及其制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术的一种提升封装效果的OLED...
【技术保护点】
1.一种提升封装效果的OLED结构，包括基底，其特征在于：所述基底上沉积一层阳极，所述基底上在金属阴极接触区域通过蚀刻方式制备粗糙凹凸的表面结构；所述基底上在两侧金属接触区域中间沉积OLED器件层，所述OLED器件层上沉积封装层。/n
【技术特征摘要】
1.一种提升封装效果的OLED结构，包括基底，其特征在于：所述基底上沉积一层阳极，所述基底上在金属阴极接触区域通过蚀刻方式制备粗糙凹凸的表面结构；所述基底上在两侧金属接触区域中间沉积OLED器件层，所述OLED器件层上沉积封装层。
2.按照权利要求1所述的一种提升封装效果的OLED结构，其特征在于：所述封装层包括氧化铝封装层以及设置在氧化铝封装层外侧的氮化硅封装层。
3.按照权利要求2所述的一种提升封装效果的OLED结构，其特征在于：所述氧化铝封装层的厚度为10-50nm，所述氮化硅封装层的厚度为10-200nm。
4.按照权利要求1所述的一种提升封装效果的OLED结构，其特征在于：所述粗糙凹凸的表面结构为波浪凹凸结构。
5.按照权利要求1或4所述的一种提升封装效果的OLED结构，其特征在于：所述粗糙凹凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：王绍华，刘志文，
申请(专利权)人：湖畔光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。