The OLED level indicating device, system and preparation method of OLED level indicating device provided by the application relate to the technical field of OLED level indicating. The OLED level indicating device comprises an organic functional layer, a first electrode layer on one side of the organic functional layer, a second electrode layer on the side of the organic functional layer away from the first electrode layer, wherein one end of the edge of the first electrode layer is provided with a voltage input end, and the organic functional layer is sequentially arranged in a direction away from the voltage input end of the first electrode layer A plurality of low resistance areas are arranged, and the resistivity of the low resistance area in the organic functional layer is smaller than that of other areas in the organic functional layer. Through the above settings, the integration degree of the device can be improved.
【技术实现步骤摘要】
OLED电平指示器件、系统和OLED电平指示器件制备方法
本申请涉及OLED电平指示
,具体而言,涉及一种OLED电平指示器件、系统和OLED电平指示器件制备方法。
技术介绍
电平指示器由多个LED和IC组成,可以根据输入电压的大小点亮不同的LED,起到电平指示的作用。但是,经专利技术人研究发现,在现有技术中,电平指示器采用分立元件组合而成,需要单独设置,从而存在着设备复杂、集成度低的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种OLED电平指示器件、系统和OLED电平指示器件制备方法,以改善现有技术中存在的问题。为实现上述目的,本申请采用如下技术方案:一种OLED电平指示器件,包括:有机功能层;位于所述有机功能层一侧的第一电极层;位于所述有机功能层远离所述第一电极层一侧的第二电极层;其中,所述第一电极层的一端设置有电压输入端,所述有机功能层内沿远离所述第一电极层的电压输入端的方向依次设置有多个低电阻区域,所述有机功能层内低电阻区域的电阻率小 ...
【技术保护点】
1.一种OLED电平指示器件,其特征在于,包括:/n有机功能层;/n位于所述有机功能层一侧的第一电极层;/n位于所述有机功能层远离所述第一电极层一侧的第二电极层;/n其中,所述第一电极层的一端设置有电压输入端,所述有机功能层内沿远离所述第一电极层的电压输入端的方向依次设置有多个低电阻区域,所述有机功能层内低电阻区域的电阻率小于所述有机功能层内其它区域的电阻率。/n
【技术特征摘要】
1.一种OLED电平指示器件,其特征在于,包括:
有机功能层;
位于所述有机功能层一侧的第一电极层;
位于所述有机功能层远离所述第一电极层一侧的第二电极层;
其中,所述第一电极层的一端设置有电压输入端,所述有机功能层内沿远离所述第一电极层的电压输入端的方向依次设置有多个低电阻区域,所述有机功能层内低电阻区域的电阻率小于所述有机功能层内其它区域的电阻率。
2.如权利要求1所述的OLED电平指示器件,其特征在于,所述第一电极层具有阳极结构,所述阳极结构包括多个间隔设置的阳极区域,各个所述低电阻区域对应各所述阳极区域间隔设置。
3.如权利要求2所述的OLED电平指示器件,其特征在于,还包括:
多个辅助电极,各所述辅助电极分别对应设置于所述阳极区域与有机功能层之间,所述辅助电极与所述低电阻区域相互间隔。
4.如权利要求1所述的OLED电平指示器件,其特征在于,多个所述低电阻区域连续不间断分布。
5.如权利要求1-4任意一项所述的OLED电平指示器件,其特征在于,还包括:
位于所述第一电极层和所述第二电极层之间且位于远离电压输入端的一端的绝缘结构层,该绝缘结构层...
【专利技术属性】
技术研发人员:王江南,翟雪晶,陶培培,史晓波,丁磊,
申请(专利权)人:江苏集萃有机光电技术研究所有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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