【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机发光二极管，具体涉及一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极、一种硅基有机发光二极管。
技术介绍
1、硅基有机发光二极管(silicon-based organic light-emitting diode)为有机发光二极管(oled)微显示器的关键组成单元器件。该单元器件通常由电极及多层有机膜层构成。该单元器件的电极分为反射阳极与透明阴极，其中透明阴极的电子注入性能直接影响了该电子器件的光电性能。
2、传统的透明阴极结构为低功函数的金属(或金属盐)与透明金属氧化物(或超薄金属)构成的叠层结构，应用上述阴极结构的oled器件的驱动电压较高，导致其光电性能较差。目前亟需一种具有高电子注入效率及优秀电子传输性能的阴极结构，来提升oled单元器件的光电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极、一种硅基有机发光二极管，本专利技术提供的用于硅基有机发光二极管的透明阴极能够降低硅基有机发光二极管的工作电压，提升其光电性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极，包括层叠设置的改性有机薄膜层和透明金属氧化物薄膜层；
4、所述改性有机薄膜层的材料包括有机薄膜材料和掺杂在所述有机薄膜材料中的碱金属氧化物。
5、优选的，所述有机薄膜材料包括et314、bephen、b3pympm、dbftrz、tpbi、tmpy
6、优选的，所述碱金属氧化物包括li2o、na2o、k2o、rb2o和cs2o中的一种或几种；
7、所述碱金属氧化物在所述改性有机薄膜层中的质量百分含量为0.5～5.0％。
8、优选的，所述透明金属氧化物薄膜层的材料包括izo、azo、ito、sno或zno。
9、优选的，所述改性有机薄膜层的厚度为2～20nm；所述透明金属氧化物薄膜层的厚度为100～200nm。
10、本专利技术还提供了一种硅基有机发光二极管，包括依次层叠设置的基板、阳极层、第一发光单元层、连接层、第二发光单元层和阴极层，所述阴极层为上述技术方案所述的用于硅基有机发光二级管的透明阴极。
11、优选的，所述阳极层的材料包括al、ag、mo、tin和ito中的一种或几种；所述阳极层的厚度为60～150nm。
12、优选的，所述第一发光单元层和第二发光单元层独立的包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；
13、所述第一发光单元层的空穴注入层和阳极层接触；所述第二发光单元层的电子传输层和阴极层接触。
14、优选的，所述空穴注入层的材料包括npb、tcta、tapc、tris-pcz、ht01和ht02的一种或几种；所述空穴注入层中还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括p型掺杂材料，所述掺杂材料的掺杂质量浓度为0.5～10％；所述空穴注入层的厚度为5～15nm；
15、所述空穴传输层的材料包括ht01和/或ht02；所述空穴传输层的厚度为10～50nm；
16、所述发光层的材料包括主体材料和掺杂材料；所述主体材料包括蓝光主体材料、绿光主体材料和红光主体材料中的一种或几种；所述掺杂材料包括荧光客体材料、磷光客体材料和敏化剂中的一种或几种；所述掺杂材料的掺杂质量浓度为0.1～20％；所述发光层的厚度为10～50nm；
17、所述电子传输层的材料包括et01和/或et02；所述电子传输层中还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括liq；所述掺杂材料的掺杂质量浓度为10～50％；所述电子传输层的厚度为10～50nm。
18、优选的，所述连接层包括依次层叠设置的第一连接层和第二连接层；所述第一连接层的材料包括tpbi、tmpypb、alq3、dbftrz、b4pympm、et01或et02；所述第一连接层还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括yb或li；所述掺杂材料的掺杂质量浓度为0.5～5％；
19、所述第二连接层的材料包括hatcn或npd-9；
20、所述连接层的厚度为20～30nm，其中第一连接层的厚度为15～20nm，第二连接层的厚度为5～10nm；
21、所述第一连接层和所述第一发光单元层的电子传输层接触；
22、所述第二连接层和所述第二发光单元层的空穴注入层接触。
23、本专利技术提供了一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极，包括层叠设置的改性有机薄膜层和透明金属氧化物薄膜层；所述改性有机薄膜层的材料包括有机薄膜材料和掺杂在所述有机薄膜材料中的碱金属氧化物。本专利技术利用掺杂有碱金属氧化物的有机薄膜与透明金属氧化物薄膜结合得到透明阴极结构，相比于传统的阴极结构，用于硅基有机发光二极管时，能够显著降低其工作电压，提升器件亮度，以提高其电流效率以及功率效率。本专利技术提供的阴极结构能够显著降低电子注入势垒以提升有机光电器件的性能。
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1.一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极，其特征在于，包括层叠设置的改性有机薄膜层和透明金属氧化物薄膜层；
2.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述有机薄膜材料包括ET314、Bephen、B3PyMPM、DBFTrz、TPBi、TmPyPB、Bepp2和Alq3中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述碱金属氧化物包括Li2O、Na2O、K2O、Rb2O和Cs2O中的一种或几种；
4.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述透明金属氧化物薄膜层的材料包括IZO、AZO、ITO、SnO或ZnO。
5.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述改性有机薄膜层的厚度为2～20nm；所述透明金属氧化物薄膜层的厚度为100～200nm。
6.一种硅基有机发光二极管，包括依次层叠设置的基板、阳极层、第一发光单元层、连接层、第二发光单元层和阴极层，其特征在于，所述阴极层为权利要求1～5任一项所述的用于硅基有机发光二级管的透明阴极。
7.根据权利要求6所述的硅基有机发光二极管，
8.根据权利要求6所述的硅基有机发光二极管，其特征在于，所述第一发光单元层和第二发光单元层独立的包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；
9.根据权利要求8所述的硅基有机发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括NPB、TCTA、TAPC、Tris-PCz、HT01和HT02的一种或几种；所述空穴注入层中还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括P型掺杂材料，所述掺杂材料的掺杂质量浓度为0.5～10％；所述空穴注入层的厚度为5～15nm；
10.根据权利要求6所述的硅基有机发光二极管，其特征在于，所述连接层包括依次层叠设置的第一连接层和第二连接层；所述第一连接层的材料包括TPBi、TmPYPB、Alq3、DBFTrz、B4PYMPM、ET01或ET02；所述第一连接层还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括Yb或Li；所述掺杂材料的掺杂质量浓度为0.5～5％；
...【技术特征摘要】
1.一种用于硅基有机发光二极管的透明阴极，其特征在于，包括层叠设置的改性有机薄膜层和透明金属氧化物薄膜层；
2.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述有机薄膜材料包括et314、bephen、b3pympm、dbftrz、tpbi、tmpypb、bepp2和alq3中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述碱金属氧化物包括li2o、na2o、k2o、rb2o和cs2o中的一种或几种；
4.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述透明金属氧化物薄膜层的材料包括izo、azo、ito、sno或zno。
5.根据权利要求1所述的透明阴极，其特征在于，所述改性有机薄膜层的厚度为2～20nm；所述透明金属氧化物薄膜层的厚度为100～200nm。
6.一种硅基有机发光二极管，包括依次层叠设置的基板、阳极层、第一发光单元层、连接层、第二发光单元层和阴极层，其特征在于，所述阴极层为权利要求1～5任一项所述的用于硅基有机发光二级管的透明阴极。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李培丞，吴迪，吴远武，
申请(专利权)人：湖畔光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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