存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：将第一数据程序化至可复写式非易失性存储器模块中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种存储器管理机制，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如，快速存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。在一个记忆胞可以储存多个比特的存储器储存装置中，多个预设的读取电压准位会被用来读取属于不同状态(state)的记忆胞所储存的数据。但是，在存储器储存装置使用一段时间后，随着记忆胞的磨损，这些预设的读取电压准位相对于记忆胞的临界电压分布可能会发生严重偏移，甚至偏移到会被误判为是用来读取相邻状态的读取电压准位。此时，使用传统的读取电压调整机制可能无法正确地校正读取电压准位，进而导致存储器储存装置的使用寿命缩短。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元，可提高读取电压准位的校正效率。本专利技术的一范例实施例提供一种存储器管理方法，其用于包括可复写式非易失性存储器模块的存储器储存装置。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞，且所述存储器管理方法包括：将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述状态分别对应于预设比特值；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：随机化原始数据以产生所述第一数据。在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：根据以下方程式(1)获得对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息：C＝i×(N/M)(1)，在方程式(1)中，参数C代表对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息，参数i代表对应于所述第一读取电压准位的索引值，参数N代表所述第一记忆胞的总数，且参数M代表所述状态的总数。在本专利技术的一范例实施例中，根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息调整所述第一读取电压准位的步骤包括：根据所述第一计数信息与所述预设计数信息决定第一调整值；以及根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位。在本专利技术的一范例实施例中，根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位的步骤包括：根据所述第一调整值发送第二单阶读取指令序列以指示使用多个第二读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第二单阶读取指令序列的读取结果决定第二调整值；以及根据所述第一调整值与所述第二调整值调整所述第一读取电压准位。本专利技术的另一范例实施例提供一种存储器储存装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以发送写入指令序列以指示将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述状态分别对应于预设比特值。所述存储器控制电路单元还用以发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞。所述存储器控制电路单元还用以根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息。所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以随机化原始数据以产生所述第一数据。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以根据以下方程式(1)获得对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息：C＝i×(N/M)(1)，在方程式(1)中，参数C代表对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息，参数i代表对应于所述第一读取电压准位的索引值，参数N代表所述第一记忆胞的总数，且参数M代表所述状态的总数。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息调整所述第一读取电压准位的操作包括：根据所述第一计数信息与所述预设计数信息决定第一调整值；以及根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位的操作包括：根据所述第一调整值发送第二单阶读取指令序列以指示使用多个第二读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第二单阶读取指令序列的读取结果决定第二调整值；以及根据所述第一调整值与所述第二调整值调整所述第一读取电压准位。本专利技术的另一范例实施例提供一种存储器控制电路单元，其用于控制包括多个记忆胞的可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以发送写入指令序列以指示将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述状态分别对应于预设比特值。所述存储器管理电路还用以发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞。所述存储器管理电路还用以根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息。所述存储器管理电路还用以根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以随机化原始数据以产生所述第一数据。在本专利技术的一范例实施例中，对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息反映预设记忆胞计数。在本专利技术的一范例实施例中，对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的数值正相关于所述第一记忆胞的总数，且对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的所述数值负相关于所述状态的总数。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以根据以下方程式(1)获得对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息：C＝i×(N/M)(1)，在方程式(1)中，参数C代表对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息，参数i代表对应于所述第一读取电压准位的索引值，参数N代表所述第一记忆胞的总数，且参数M代表所述状态的总数。在本专利技术的一范例实施例中，对于所述第一读取电压准位的所述第一计数信息反映经程序化的第一记忆胞中，电压准位不大于所述第一读取电压准位的至少一记忆胞的数目。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述第一计数信息与对应于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于包括可复写式非易失性存储器模块的存储器储存装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞，所述存储器管理方法包括：将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述多个状态分别对应于预设比特值；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。

【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于包括可复写式非易失性存储器模块的存储器储存装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞，所述存储器管理方法包括：将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述多个状态分别对应于预设比特值；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。2.如权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：随机化原始数据以产生所述第一数据。3.如权利要求1所述的存储器管理方法，其中对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息反映预设记忆胞计数。4.如权利要求1所述的存储器管理方法，其中对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的数值正相关于所述多个第一记忆胞的总数，且对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的所述数值负相关于所述多个状态的总数。5.如权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：根据以下方程式(1)获得对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息：C＝i×(N/M)(1)，在方程式(1)中，参数C代表对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息，参数i代表对应于所述第一读取电压准位的索引值，参数N代表所述多个第一记忆胞的总数，且参数M代表所述多个状态的总数。6.如权利要求1所述的存储器管理方法，其中对应于所述第一读取电压准位的所述第一计数信息反映经程序化的第一记忆胞中，电压准位不大于所述第一读取电压准位的至少一记忆胞的数目。7.如权利要求1所述的存储器管理方法，其中根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息调整所述第一读取电压准位的步骤包括：根据所述第一计数信息与所述预设计数信息决定第一调整值；以及根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位。8.如权利要求7所述的存储器管理方法，其中根据所述第一调整值调整所述第一读取电压准位的步骤包括：根据所述第一调整值发送第二单阶读取指令序列以指示使用多个第二读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第二单阶读取指令序列的读取结果决定第二调整值；以及根据所述第一调整值与所述第二调整值调整所述第一读取电压准位。9.一种存储器储存装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以发送写入指令序列以指示将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述多个状态分别对应于预设比特值，其中所述存储器控制电路单元还用以发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞，其中所述存储器控制电路单元还用以根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息，其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。10.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中所述存储器控制电路单元还用以随机化原始数据以产生所述第一数据。11.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息反映预设记忆胞计数。12.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的数值正相关于所述多个第一记忆胞的总数，且对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息的所述数值负相关于所述多个状态的总数。13.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中所述存储器控制电路单元还用以根据以下方程式(1)获得对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息：C＝i×(N/M)(1)，在方程式(1)中，参数C代表对应于所述第一读取电压准位的所述预设计数信息，参数i代表对应于所述第一读取电压准位的索引值，参数N代表所述多个第一记忆胞的总数，且参数M代表所述多个状态的总数。14.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中对于所述第一读取电压准位的所述第一计数信息反映经程序化的第一记忆胞中，电压准位不大于所述第一读取电压准位的至少一记忆胞的数目。15.如权利要求9所述的存储器储存装置，其中所述存储器控制电路单...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，刘安城，陈思玮，杨宇翔，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71