制作集成电路装置的方法制造方法及图纸

此处公开制作集成电路装置的方法的例子。在一实施例中，接收集成电路工件，其包括导电内连线结构。形成第一层间介电层于导电内连线结构上，并形成第二层间介电层于第一层间介电层上。形成硬遮罩于第二层间介电层上。蚀刻通孔凹陷穿过第一层间介电层、第二层间介电层、与硬遮罩，以露出导电内连线结构。蚀刻包含提供钝化剂以与遮罩的材料反应以降低对蚀刻所采用的蚀刻剂的敏感度。

The Method of Making Integrated Circuit Device

【技术实现步骤摘要】
制作集成电路装置的方法
本专利技术实施例一般涉及集成电路装置与其制作方法，更特别涉及以钝化剂使通孔蚀刻工艺与沟槽蚀刻工艺不同。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。在集成电路演化中，功能密度(如单位芯片面积所含的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。然而尺寸缩小亦增加设计与整合这些集成电路的装置工艺复杂度。工艺的并行发展在制作越来越复杂的设计时，可兼具精确性与可信度。装置制作以及耦接装置的导体网络制作均具有进展。在此考量下，集成电路可包含内连线结构以电性耦接电路装置如鳍状场效晶体管、平面场效晶体管、双极性接面晶体管、发光二极管、存储装置、其他主动及/或被动装置、或类似物。内连线结构可包含垂直堆叠的任意数目的介电层，以及层中水平走向的导电线路。通孔可垂直延伸以连接一层中的导电线路与相邻的层中的导电线路。类似地，接点可垂直延伸于导电线路与基板级结构之间。线路、通孔、与接点一起携带装置之间的信号、电源、与地线，以操作如电路。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供制作集成电路装置的方法，包括：接收集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作集成电路装置的方法，包括：接收一集成电路工件，其包括一导电内连线结构；形成一第一层间介电层于该导电内连线结构上；形成一第二层间介电层于该第一层间介电层上；形成一硬遮罩于该第二层间介电层上；以及蚀刻一通孔凹陷穿过该第一层间介电层、该第二层间介电层、与该硬遮罩，以露出该导电内连线结构，其中上述蚀刻包含提供一钝化剂以与该硬遮罩的材料反应，进而降低对该蚀刻所采用的蚀刻剂的敏感度。

【技术特征摘要】
2018.03.22 US 15/928,8961.一种制作集成电路装置的方法，包括：接收一集成电路工件，其包括一导电内连线结构；形成一第一层间介电层于该导电内连线结构上；形成一第二层间介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：何俊德，张世郁，林大为，邱建智，梁明中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71