一种半导体用洁净管的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体用洁净管的生产工艺，包括以下步骤：选择特定的管材原材料，并对管材原材料进行成分分析；根据客户需求，对管材原材料进行加工，得到相应尺寸的管件；对管件进行电化学抛光及半导体级洁净处理；对洁净处理后的管件进行性能检验；将通过检验的管件打包出厂，与现有技术相比，本发明专利技术设计合理，工艺简单，可以生产出符合标准的半导体用洁净管，提升国产半导体用洁净管在国内市场的占比额度。

A Production Process of Clean Tube for Semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用洁净管的生产工艺
本专利技术涉及不锈钢管
，特别是一种半导体用洁净管的生产工艺。
技术介绍
无缝钢管是一种具有中空截面、周边没有接缝的长条钢材，无缝钢管具有中空截面，可用作输送流体的管道，如输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等，高洁净度的不锈钢管常被用于半导体制备设备中，而国内能生产半导体用洁净管的厂商十分有限，只能依靠国外进口，因此有必要提出一种半导体用洁净管的生产工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种半导体用洁净管的生产工艺，本专利技术设计合理，工艺简单，可以生产出符合标准的半导体用洁净管，提升国产半导体用洁净管在国内市场的占比额度。为实现上述目的，本专利技术提出了一种半导体用洁净管的生产工艺，包括以下步骤：A)选择特定的管坯料，并对管坯料进行成分分析；B)通过精轧、油润滑游动芯棒拔制、固溶光亮热处理、内外表面深度清洗等工艺对管坯料进行加工，得到相应尺寸的管件；C)对管件进行电化学抛光及半导体级洁净处理；D)对洁净处理后的管件进行性能检验；E)将通过检验的管件打包出厂。作为优选，所述的步骤A)中的管坯料为316L无缝不锈钢管。作为优选，所述的步骤A)中的成分分析为对C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo含量的分析，所述C的含量要低于0.03％，所述Si的含量要低于1％，所述Mn的含量要低于2％，所述P的含量要低于0.04％，所述S的含量要低于0.01％，所述Ni的含量为8％-11％，所述Cr的含量为16％-18％，所述Mo的含量为2％-3％。作为优选，所述的步骤B)中的对管坯料的加工工序包括：酸洗、压延、清洗、打头、冷拔、清洗、矫正和光亮退火。作为优选，所述的步骤B)中的电化学抛光为化学清洗和电化学抛光。作为优选，所述的步骤C)中的半导体级洁净处理为对管件依次进行酸洗、超纯水清洗和管内壁深度清洗，所述超纯水清洗采用18MΩ的超纯水，所述管内壁深度清洗采用白色棉布蘸取三氯乙烯或丙酮后对管内壁擦洗，然后用压力空气吹扫钢管内孔，所述半导体级洁净处理在无尘室内完成。作为优选，所述的步骤D)中的性能检验使用的仪器为粗糙度检测仪、金相显微镜和硬度计。作为优选，所述的步骤E)中的管件打包操作在无尘室内完成。本专利技术的有益效果：本专利技术设计合理，工艺流程准确，可以生产出符合标准的半导体用洁净管，提升国产半导体用洁净管在国内市场的占比额度。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。本专利技术一种半导体用洁净管的生产工艺，包括以下步骤：A)选择特定的管坯料，并对管坯料进行成分分析；B)通过精轧、油润滑游动芯棒拔制、固溶光亮热处理、内外表面深度清洗等工艺对管坯料进行加工，得到相应尺寸的管件；C)对管件进行电化学抛光及半导体级洁净处理；D)对洁净处理后的管件进行性能检验；E)将通过检验的管件打包出厂。其中，所述的步骤A)中的管坯料为316L无缝不锈钢管。其中，所述的步骤A)中的成分分析为对C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo含量的分析，所述C的含量要低于0.03％，所述Si的含量要低于1％，所述Mn的含量要低于2％，所述P的含量要低于0.04％，所述S的含量要低于0.01％，所述Ni的含量为9％，所述Cr的含量为17％，所述Mo的含量为3％。其中，所述的步骤B)中的对管坯料的加工工序包括：酸洗、压延、清洗、打头、冷拔、清洗、矫正和光亮退火。其中，所述的步骤B)中的电化学抛光为化学清洗和电化学抛光。其中，所述的步骤C)中的半导体级洁净处理为对管件依次进行酸洗、超纯水清洗和管内壁深度清洗，所述超纯水清洗采用18MΩ的超纯水，所述管内壁深度清洗采用白色棉布蘸取三氯乙烯或丙酮后对管内壁擦洗，然后用压力空气吹扫钢管内孔，所述半导体级洁净处理在无尘室内完成。其中，所述的步骤D)中的性能检验使用的仪器为粗糙度检测仪、金相显微镜和硬度计。其中，所述的步骤E)中的管件打包操作在无尘室内完成。与现有技术相比，本专利技术设计合理，工艺流程准确，可以生产出符合标准的半导体用洁净管，提升国产半导体用洁净管在国内市场的占比额度。上述实施例是对本专利技术的说明，不是对本专利技术的限定，任何对本专利技术简单变换后的方案均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体用洁净管的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：A)选择特定的管坯料，并对管坯料进行成分分析；B)通过精轧、油润滑游动芯棒拔制、固溶光亮热处理、内外表面深度清洗等工艺对管坯料进行加工，得到相应尺寸的管件；C)对管件进行电化学抛光及半导体级洁净处理；D)对洁净处理后的管件进行性能检验；E)将通过检验的管件打包出厂。

【技术特征摘要】
1.一种半导体用洁净管的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：A)选择特定的管坯料，并对管坯料进行成分分析；B)通过精轧、油润滑游动芯棒拔制、固溶光亮热处理、内外表面深度清洗等工艺对管坯料进行加工，得到相应尺寸的管件；C)对管件进行电化学抛光及半导体级洁净处理；D)对洁净处理后的管件进行性能检验；E)将通过检验的管件打包出厂。2.如权利要求1所述的一种半导体用洁净管的生产工艺，其特征在于：所述的步骤A)中的管坯料为316L无缝不锈钢管。3.如权利要求1所述的一种半导体用洁净管的生产工艺，其特征在于：所述的步骤A)中的成分分析为对C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo含量的分析，所述C的含量要低于0.03％，所述Si的含量要低于1％，所述Mn的含量要低于2％，所述P的含量要低于0.04％，所述S的含量要低于0.01％，所述Ni的含量为8％-11％，所述Cr的含量为16％-18％，所述Mo的含量为2％-3％。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴月琴，徐姚松，徐俞生，李文豪，
申请(专利权)人：浙江中达特钢股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33