半导体装置以及其调整方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置以及其调整方法。半导体装置具备：第一纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的第一区域，具有在第一直线上隔开规定的间隔配置的第一多个电极；第二纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的与第一区域不同的第二区域，具有在与第一直线平行的第二直线上隔开规定的间隔配置的、与第一多个电极相同数量的第二多个电极；第一驱动电源，对第一纵向霍尔元件进行驱动；以及第二驱动电源，在第一驱动电源之外设置，对第二纵向霍尔元件进行驱动。

Semiconductor devices and their adjustment methods

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及其调整方法
本专利技术涉及半导体装置以及其调整方法，特别是涉及具有对水平方向的磁场进行感测的纵向霍尔元件（verticalHallelement）的、半导体装置以及其调整方法。
技术介绍
霍尔元件由于能够作为磁传感器进行非接触下的位置感测或角度感测所以被用于各种用途。在其中，也通常总是知晓使用了对与半导体基板表面垂直的磁场分量（垂直磁场）进行感测的横向霍尔元件（lateralHallelement）的、磁传感器，但是，也各种提出使用了对与半导体基板的表面平行的磁场分量（水平磁场）进行感测的纵向霍尔元件的、磁传感器。在纵向霍尔元件中，难以取几何学的对称性高的构造，因此，在横向霍尔元件以上容易产生在未被施加磁场时也输出的、所谓的偏移电压。因此，在用作磁传感器的情况下，需要除去这样的偏移电压，作为其方法，已知旋转电流法。作为使用旋转电流法来除去偏移电压的方法，例如在专利文献1中公开了：如图6所示那样，将同样的结构的2个（多个）纵向霍尔元件300和纵向霍尔元件400平行配置，通过布线W1~W6如图示那样将纵向霍尔元件300的电极311~315和纵向霍尔元件400的电极411~4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的第一区域，具有在第一直线上隔开规定的间隔配置的第一多个电极；第二纵向霍尔元件，被设置于所述半导体基板的与所述第一区域不同的第二区域，具有在与所述第一直线平行的第二直线上隔开所述规定的间隔配置的、与所述第一多个电极相同数量的第二多个电极；第一驱动电源，对所述第一纵向霍尔元件进行驱动；以及第二驱动电源，在所述第一驱动电源之外设置，对所述第二纵向霍尔元件进行驱动。

【技术特征摘要】
2018.03.14 JP 2018-046888;2018.12.10 JP 2018-230551.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的第一区域，具有在第一直线上隔开规定的间隔配置的第一多个电极；第二纵向霍尔元件，被设置于所述半导体基板的与所述第一区域不同的第二区域，具有在与所述第一直线平行的第二直线上隔开所述规定的间隔配置的、与所述第一多个电极相同数量的第二多个电极；第一驱动电源，对所述第一纵向霍尔元件进行驱动；以及第二驱动电源，在所述第一驱动电源之外设置，对所述第二纵向霍尔元件进行驱动。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一和第二驱动电源为电流源。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一和第二驱动电源为电压源。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一纵向霍尔元件和所述第二纵向霍尔元件具有大致相同构造。5.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一放大器，对来自所述第一纵向霍尔元件的输出电压进行放大；第二放大器，在所述第一放大器之外设置，对来自所述第二纵向霍尔元件的输出电压进行放大；以及加法运算器，将所述第一放大器的输出信号和所述第二放大器的输出信号相加。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还具...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞冈孝明，挽地友生，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP