半导体保护用粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种半导体保护用粘合带，其能够良好地填埋凹凸面，且溶剂含量少。本发明专利技术的半导体保护用粘合带具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量射线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。

Adhesive tape for semiconductor protection

【技术实现步骤摘要】
半导体保护用粘合带
本专利技术涉及半导体保护用粘合带。
技术介绍
以往，在加工半导体晶圆时，在将半导体晶圆的背面研削至期望厚度为止的背面磨削工序中，为了固定半导体晶圆或者保护与研削面相反一侧的面而使用粘合带(背面磨削带)(例如专利文献1)。通常，背面磨削带由基材和粘合剂层构成。这种背面磨削带将粘合剂层侧贴附于半导体晶圆的表面(与晶圆的研削面相反一侧的面)而使用，在研削半导体晶圆的背面后被剥离。作为上述半导体晶圆，已知在其表面具备作为电极的凸块的半导体晶圆。对于用于这种半导体晶圆的背面磨削带，在具有适度的刚性并能够防止背面磨削工序的晶圆裂纹、实现厚度精度良好的背面研削这一以往要求的基础上，还要求能够良好地覆盖凸块面而防止背面研削时的水分侵入。作为填埋由凸块所致的凹凸、良好地覆盖凸块面的方法，可列举出增加粘合剂层的厚度的方法。然而，若加厚以往构成的背面磨削带的粘合剂层，则粘合剂层中的残留溶剂的影响变大，在处理背面磨削带的作业者的健康方面产生问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-151163号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的课题在于，提供能够良好地填埋凹凸面、且溶剂含量少的半导体保护用粘合带。用于解决问题的方案本专利技术的半导体保护用粘合带具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量射线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。一个实施方式中，上述半导体保护用粘合带在150℃的空气中放置1小时时，源自劳动安全卫生法的有机溶剂中毒预防规则的第1种有机溶剂、第2种有机溶剂或第3种有机溶剂的释气总量为25ppm以下。一个实施方式中，利用热机械分析(TMA)并将压入深度设为上述粘合剂层的20％、将直径0.5mm的探针压入该粘合剂层而测定载荷值时，从测定开始起1秒后～300秒后的载荷的变化量(μN/(mm2·秒))为1900(μN/(mm2·秒))以下。一个实施方式中，上述基材由热塑性树脂构成。一个实施方式中，上述基材由聚酯系树脂构成。专利技术的效果根据本专利技术，可提供能够良好地填埋凹凸面、且溶剂含量少的半导体保护用粘合带。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式所述的半导体保护用粘合带的概略截面图。附图标记说明10基材20中间层30粘合剂层100半导体保护用粘合带具体实施方式A.半导体保护用粘合带的概要图1是本专利技术的一个实施方式所述的半导体保护用粘合带的概略截面图。该实施方式所述的半导体保护用粘合带100具备：基材10、配置在基材10的至少一侧的粘合剂层30、以及配置在基材10与粘合剂层30之间的中间层20。虽未图示，但本专利技术的半导体保护用粘合带可以出于保护粘合面的目的而在至使用为止的期间在粘合剂层的外侧设置有剥离衬垫。本专利技术的半导体保护用粘合带所具备的该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成。本说明书中，“UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物”是指：通过紫外线照射将包含(甲基)丙烯酸类单体和光聚合引发剂且不使用溶剂的单体组合物进行聚合而得到的聚合物。本专利技术的半导体保护用粘合带中，通过具备作为富有柔软性的层的粘合剂层和中间层，能够良好地填埋凹凸面，另一方面，通过使富有柔软性的层的一部分为由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成的中间层，从而具有溶剂含量少、释气少的优点。进而，通过由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成中间层，能够以单层的形式形成具有厚度的中间层(即，不需要在通过溶液涂覆而形成厚层时进行的反复涂布)。其结果，能够得到翘曲非常小的半导体保护用粘合带。本专利技术的半导体保护用粘合带在150℃的空气中放置1小时时，源自劳动安全卫生法的有机溶剂中毒预防规则的第1种有机溶剂、第2种有机溶剂或第3种有机溶剂的释气总量优选为25ppm以下。如上所述，通过包含由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成的中间层，能够得到如此释气量少的粘合带。上述释气总量优选为20ppm以下，更优选为15ppm以下。上述释气总量越少越优选，其下限例如为0.5ppm(优选为0.1ppm、更优选为0ppm)。作为上述第1种有机溶剂的具体例，可列举出氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、1,2-二氯乙烯、1,1,2,2-四氯乙烷、三氯乙烷、二硫化碳等。作为上述第2种有机溶剂的具体例，可列举出丙酮、异丁醇、异丙醇、异戊醇、乙醇、乙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单正丁醚、乙二醇单甲醚、邻二氯苯、二甲苯、甲酚、氯苯、乙酸异丁酯、乙酸异丙酯、乙酸异戊酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸正丙酯、乙酸正戊酯、乙酸甲酯、环己醇、环己酮、1,4-二噁烷、二氯甲烷、N,N-二甲基甲酰胺、苯乙烯、四氯乙烯、四氢呋喃、1,1,1-三氯乙烷、甲苯、正己烷、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、甲基异丁酮、甲乙酮、甲基环己醇、甲基环己酮、甲基正丁酮等。作为上述第3种有机溶剂的具体例，可列举出汽油、煤焦油石脑油(包含溶剂石脑油)、石油醚、石油石脑油、石油挥发油、松节油、矿油精等。一个实施方式中，半导体保护用粘合带在150℃的空气中放置1小时时，源自乙酸乙酯的释气量与源自甲苯的释气量的合计量为上述范围(即，25ppm以下、优选为20ppm以下、更优选为15ppm以下)。将本专利技术的半导体保护用粘合带贴合于不锈钢板时的23℃下的初始粘合力优选为0.4N/20mm以上，更优选为0.5N/20mm以上。将半导体保护用粘合带贴合于不锈钢板时的23℃下的初始粘合力的上限例如为35N/20mm。需要说明的是，粘合力按照JISZ0237:2000进行测定。具体而言，通过使2kg的辊来回1次而将半导体保护用粘合带贴合于不锈钢板(算术平均表面粗糙度Ra：50±25nm)，在23℃下放置30分钟后，在剥离角度为180°、剥离速度(拉伸速度)为300mm/分钟的条件下剥离半导体保护用粘合带而进行测定。需要说明的是，如后所述，本专利技术的半导体保护用粘合带所具备的粘合剂层由活性能量射线固化型粘合剂构成，其粘合力能够通过活性能量射线照射而发生变化，在本说明书中，“初始粘合力”是指活性能量射线照射前的粘合力。一个实施方式中，本专利技术的半导体保护用粘合带的粘合力能够通过活性能量射线照射而发生变化。将半导体保护用粘合带贴合于不锈钢板并照射累积光量为500mJ/cm2～1500mJ/cm2(优选为1000mJ/cm2)的紫外线(使用以波长365nm为中心的高压汞灯)后的23℃下的粘合力优选为0.07N/20mm～0.5N/20mm，更优选为0.08N/20mm～0.3N/20mm。如果是这样的范围，则能够得到特定工序(例如背面磨削工序)后的剥离性优异的半导体保护用粘合带。半导体保护用粘合带的厚度优选为10μm～700μm，更优选为50μm～600μm，进一步优选为100μm～500μm。B.中间层如上所述，中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成。代表性地，UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。一个实施方式中，中间层通过对包含1种或2种以上(甲基)丙烯酸烷基酯的中间层形成用组合物进行UV照射而形成。该中间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体保护用粘合带，其具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。

【技术特征摘要】
2018.03.13 JP 2018-0451611.一种半导体保护用粘合带，其具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。2.根据权利要求1所述的半导体保护用粘合带，其在150℃的空气中放置1小时时，源自劳动安全卫生法的有机溶剂中毒预防规则的第1种有机溶剂、第2种有机溶剂或第3种有机溶剂的释气总量为25ppm以下。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木贵俊，秋山淳，东别府优树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP