器件的移设方法技术

提供器件的移设方法，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个器件粘贴具有扩展性的带的步骤；从基板的背面侧向缓冲层照射对于基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏缓冲层的步骤；通过使带向远离基板的方向移动而使基板与多个器件分离，从而将形成于基板的多个器件转印至带的步骤；对带进行扩展以使粘贴于带的多个器件的配置与多个电极的配置对应的步骤；以及将粘贴在扩展后的带上的多个器件一并键合到多个电极的步骤。

The Method of Device Displacement

【技术实现步骤摘要】
器件的移设方法
本专利技术涉及将多个器件从晶片移设至安装基板的器件的移设方法。
技术介绍
通过沿着分割预定线(间隔道)对形成有多个器件的晶片进行分割，得到分别包含该器件的多个器件芯片。例如使用切削装置或激光加工装置等实施该晶片的分割。在使用激光加工装置的方法中，通过沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而使晶片蒸发，从而对晶片进行分割。在专利文献1中，公开了如下方法：沿着分割预定线照射脉冲振荡的激光束而在晶片上形成槽，沿着该槽对晶片进行分割。然后，通过将分割晶片而得到的器件芯片安装在安装基板上，从而制作出期望的封装基板。作为形成在晶片上的器件的例子，可以举出LED(LightEmittingDiode：发光二极管)等光器件。例如，通过在由蓝宝石或SiC构成的基板上使构成pn结的n型半导体层和p型半导体层外延生长，能够形成光器件。另外，为了将光器件从晶片移设至安装基板，公知有不分割晶片便将光器件从晶片分离的方法。在专利文献2中，公开了如下方法：当在晶片的正面形成了构成光器件的半导体膜之后，从晶片的背面侧照射激光束而在晶片与半导体膜的界面附近形成变质层，利用该变质层使晶片与半导体膜分离。专利文献1：日本特开平10-305420号公报专利文献2：日本特开2004-72052号公报如上所述，在将器件安装在安装基板上时，需要将形成在晶片上的器件移设至安装基板。该器件的移设例如是通过重复如下的作业而进行的：从晶片一个一个地拾取器件而移设至安装基板，并将器件贴片(diebonding)在安装基板的规定位置。在该情况下，为了将所有器件安装于安装基板，需要长时间的移设作业，从而使生产性降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供能够高效地将器件从晶片移设至安装基板的器件移设方法。根据本专利技术，提供器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；带扩展步骤，在实施了该转印步骤之后，对该带进行扩展以使粘贴于该带的多个该器件的配置与多个该电极的配置对应；以及贴片步骤，在实施了该带扩展步骤之后，将粘贴在扩展后的该带上的多个该器件一并键合到多个该电极。优选为，该器件是LED。另外，优选为，该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施该带扩展步骤之前或之后，使该器件的与该带接触的面露出。另外，优选为该带包含由紫外线硬化型树脂构成的粘合剂，该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施了该带扩展步骤之后，向该带照射紫外线而使该粘合剂硬化。在本专利技术的一个方式的器件的移设方法中，首先，将形成于晶片的多个器件转印至具有扩展性的带上。然后，通过对具有扩展性的带进行扩展而使多个器件的配置与安装基板上的器件的安装位置的配置对应，之后，将多个器件一并移设至安装基板。由此，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。附图说明图1是示出晶片的结构例的立体图。图2是示出光器件晶片的结构例的剖视图。图3是示出器件的移设方法的例子的流程图。图4是示出光器件晶片向带粘贴的情形的立体图。图5是示意性地示出光器件晶片被激光加工装置支承的状态的立体图。图6是示出向缓冲层照射激光束的情形的剖视图。图7的(A)是示出使带扩展的情形的俯视图，图7的(B)是示出扩展后的带的俯视图。图8是示出通过移设单元来保持多个光器件的情形的立体图。图9是示出通过移设单元在安装基板上配置多个光器件的情形的立体图。图10是示出键合有多个光器件的安装基板的立体图。图11是示出使用辊将多个光器件安装于安装基板的情形的立体图。标号说明11：晶片；13：基板；13a：正面；13b：背面；15：分割预定线；17：器件；19：光器件晶片；21：基板；21a：正面；21b：背面；23：缓冲层；25：光器件；27：p型半导体层；29：n型半导体层；31：带；31a：正面；31b：背面；33：框架；35：安装基板；37R：电极；37G：电极；37B：电极；2：激光加工装置；4：卡盘工作台；6：激光加工单元；8：壳体；10：聚光器；12：拍摄构件；14：夹具；20：移设单元；22：基台；24：吸附垫；26：辊。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出本实施方式的晶片11的结构例的立体图。晶片11具有圆盘状的基板13，该基板13具有正面13a和背面13b。基板13被排列成格子状的多条分割预定线(间隔道)15划分为多个区域，在该多个区域的正面13a侧分别形成有由IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LED等构成的器件17。基板13的材质、形状、构造、大小等没有限定。例如，作为基板13，可以使用半导体基板(硅基板、SiC基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板等)、蓝宝石基板、陶瓷基板、树脂基板和金属基板等。另外，对器件17的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限定。图2示出晶片11的更具体的结构的一例。图2是示出在基板21上隔着缓冲层23形成有光器件25的光器件晶片19的结构例的剖视图。在基板21上隔着多个缓冲层23形成有多个光器件25。光器件25分别具有：p型半导体层27，其由空穴为多数载流子的p型半导体构成；以及n型半导体层29，其由电子为多数载流子的n型半导体构成。由p型半导体层27和n型半导体层29来构成pn结，从而得到能够通过空穴与电子的再结合而发光的光器件25。缓冲层23例如由具有抑制基板21与p型半导体层27之间的晶格失配所导致的缺陷的发生的功能的层构成，该缓冲层23的材料根据基板21的晶格常数和p型半导体层27的晶格常数而适当选择。另外，缓冲层23是在后述缓冲层破坏步骤中通过激光束的照射而被破坏的层，作为用于使基板21与光器件25分离的分离层而发挥功能。缓冲层23、p型半导体层27、n型半导体层29的材料没有限定，只要能够在基板21上形成光器件25，就可以自由选择。例如，使用蓝宝石基板和SiC基板等来作为基板21，能够通过外延生长而在基板21上依次形成由GaN构成的缓冲层23、由p型GaN构成的p型半导体层27以及由n型GaN构成的n型半导体层29。在各层的成膜中，例如存在MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition：金属有机薄膜沉积)法或MBE(MolecularBeamEpitaxy：分子束外延)法等。另外，在图2中示出了由p型半导体层27和n型半导体层29构成的光器件25，但光器件25的结构不限定于此。例如，也可以使用如下的光器件25：在p型半导体层27与n型半导体层29之间具有发光层，从该发光层放出光。在使用以上述光器件25为代表的器件17(参照图1)来制作封装基板的情况下，需要将器件17从晶片11移设至安装基板。该移设例如能够通过逐个拾取形成在基板13上的器件17并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层而形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；带扩展步骤，在实施了该转印步骤之后，对该带进行扩展以使粘贴于该带的多个该器件的配置与多个该电极的配置对应；以及贴片步骤，在实施了该带扩展步骤之后，将粘贴在扩展后的该带上的多个该器件一并键合到多个该电极。

【技术特征摘要】
2018.03.05 JP 2018-0388441.一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层而形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；带扩展...

【专利技术属性】
技术研发人员：小柳将，川合章仁，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP