切割片制造技术

本发明专利技术为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

Cutting blade

【技术实现步骤摘要】
切割片本申请是申请日为2015年5月18日、申请号为201580030575.0、专利技术名称为“切割片”的申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体晶片等工件的切割，特别是涉及可以用于隐形切割(StealthDicing)的切割片。本申请主张2014年6月10日在日本申请的日本特愿2014-120034号的优先权，在此引用了其内容。
技术介绍
在从半导体晶片等工件制造包含半导体芯片等片状体的加工物时，以往通常一边以对工件清洗等为目的而喷吹液体，一边进行用旋转刀具切断工件而得到片状体的切片刀切割加工。但是，近年来采用了能够用干法分割成片状体的隐形切割(StealthDicing)(注册商标；以下相同)加工(专利文献1)。例如，在专利文献2中公开了一种隐形切割法，该方法包括：将叠层粘合片(叠层了2层由基材和粘合剂层构成的粘合片而形成的片材)粘贴于极薄的半导体晶片，从叠层粘合片侧隔着该叠层粘合片对半导体晶片照射激光，在半导体晶片的内部形成改性部，然后对粘合片进行扩片(expand)，由此沿切割线分割半导体晶片，生产半导体芯片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3762409号公报专利文献2：日本特开2007-123404号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上所述，在对工件照射激光时，激光需要透过粘合片到达工件，因此要求粘合片具有激光透射性。但是，在切割片的粘合剂层的与基材相反侧，为了保护上述粘合剂层而多数叠层剥离片。以膜卷状态送出上述切割片时，卷成卷状的切割片中基材的与粘合剂层相反侧的面和剥离片的与粘合剂层相反侧的面密合而发生粘连，会发生由膜卷的送出不良，或者基材被转移至卷成卷状的剥离片上，有时无法进行工件的粘贴。本专利技术是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种切割片，所述切割片能够在从卷成卷状的状态送出切割片时抑制粘连的发生，且在激光照射时激光透射性优异。用于解决课题的方案为了实现上述目的，第1，本专利技术提供一种切割片(专利技术1)，其具备：基材、叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。需要说明的是，在本说明书中，“片”包含例如长条胶带等概念。根据上述专利技术(专利技术1)，在将切割片卷成卷状时，基材的第2面和与所述基材的第2面接触的剥离片不易密合，在送出卷成卷状的切割片时，不易发生粘连。另外，在对切割片加热后从基材的第2面侧照射激光时，激光不会因基材的第2面的凹凸发生散射，从而透过切割片高效地到达工件(半导体晶片)，激光透射性优异。在上述专利技术(专利技术1)中，优选所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述基材的熔点为90～180℃(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选所述基材在130℃下的储能模量为1～100MPa(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述基材在所述加热后对波长1064nm的光线透射率为40％以上(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～5)中，优选所述基材是由乙烯和丙烯的共聚物构成的膜(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术1～6)中，优选所述切割片具备夹具用粘合剂层，所述夹具用粘合剂层叠层于所述粘合剂层的与所述基材侧相反侧的边缘部(专利技术7)。专利技术的效果根据本专利技术的切割片，可以抑制从卷成卷状的状态将所述切割片送出时的粘连的产生，在激光照射时激光透射性优异。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的切割片的剖面图。图2是示出本专利技术的一个实施方式的切割片的使用例的剖面图，具体而言是示出叠层结构体的剖面图。图3是本专利技术的其它实施方式的切割片的剖面图。图4是实施例中制作的切割片的俯视图。符号说明1、1A…切割片2…基材3…粘合剂层401…圆形402…圆弧403…直线5…夹具用粘合剂层6…剥离片7…半导体晶片8…环状框具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是本专利技术的一个实施方式的切割片的剖面图。如图1所示，本实施方式的切割片1具备基材2、叠层于基材2的第1面侧(图1中的上侧)的粘合剂层3和叠层于粘合剂层3上的剥离片6而构成。剥离片6在使用切割片1时被剥离除去，在此之前保护粘合剂层3。这里，将基材2中的粘合剂层3侧的面称为“第1面”，将其相反侧的面(图1中的下面)称为“第2面”。作为一个例子，本实施方式的切割片1用于在对作为工件的半导体晶片进行切割加工时保持半导体晶片，但并不限定于此。本实施方式的切割片1通常形成长条并卷成卷状，以辊对辊(rolltoroll)方式使用。1.基材基材2的第2面(以下，有时称为“基材2的背面”。)的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上。将切割片1在130℃下加热2小时再冷却至室温后(以下有时简称为“加热后”)，基材2的背面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。需要说明的是，基材2的背面的算术平均粗糙度(Ra1)是在130℃下加热2小时前基材2的背面的算术平均粗糙度，以下有时称为“加热前的算术平均粗糙度(Ra1)”。该加热前的算术平均粗糙度(Ra1)及加热后的算术平均粗糙度(Ra2)是基于JISB0601：2001而测定的，测定方法的详细如后面叙述的试验例所示。需要说明的是，送出卷成卷状的切割片1时为加热前，隐形切割的激光照射在加热后进行。由于基材2的背面的加热前的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，因此基材2的背面和剥离片6的与粘合剂层3相反侧的面不易密合。由此，在送出卷成卷状的切割片1时，不易发生粘连。因此，可以抑制由粘连导致发生送出不良的情况、基材2转移至卷成卷状的剥离片6而无法粘贴工件的情况。从上述观点考虑，基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)优选为0.25μm以上，特别优选为0.30μm以上。这里，作为基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)的上限，优选为1.0μm以下，特别优选为0.8μm以下，进一步优选为0.7μm以下。加热前的算术平均粗糙度(Ra1)超过1.0μm时，存在难以满足上述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)的隐患。即，基材41的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)优选为0.25～1.0μm的范围，更优选为0.30～0.7μm的范围。另一方面，基材2的背面在上述条件下加热后的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下的情况下，在切割片1加热后从基材2的背面侧照射激光时，激光透过切割片1而不会因基材2的背面的凹凸发生散射，从而可高效地到达工件(半导体晶片)，激光透射性优异。因此，利用隐形切割进行的工件分割性优异。从上述观点考虑，基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)优选为0.20μm以下，特别优选为0.10μm以下。这里，作为基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)的下限，只要能够满足加热前的算术平均粗糙度(Ra1)即可，没有特别限制。但通常为0.001μm以上，优选为0.01μm以上。即，基材41的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)优选为0.001～0.20μm的范围，更优选为0.01～0.10μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割片，其具备：基材、叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下，并且，所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)。

【技术特征摘要】
2014.06.10 JP 2014-1200341.一种切割片，其具备：基材、叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下，并且，所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，山本大辅，米山裕之，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP