集成电路的电网布局设计制造技术

公开了集成电路布局，所述集成电路布局包括具有金属轨道的金属层，所述金属轨道具有沿着所述金属轨道的单独金属部分。沿着单个轨道的所述单独金属部分可以彼此电隔离。接着，所述单独金属部分可以电连接到具有所述单独金属部分的所述金属层上方和/或下方的金属层中的不同电压轨道。所述集成电路布局中的一个或多个金属层还可以包括在电网布局内彼此相邻的在不同电压(例如，电源和接地)下的金属轨道。所述金属轨道可以通过电绝缘材料分开。所述金属轨道和位于所述轨道之间的电绝缘材料可以在所述电网布局中产生电容。

Power Network Layout Design of Integrated Circuits

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路的电网布局设计
技术介绍

由于工艺开发的进步和增大特征密度的需要，单个晶体管的尺寸稳定下降。当前标度正朝向7nm和以上技术发展，而电子迁移和IR(电压)下降随着标度继续发展而越来越令人担忧。这些技术在逻辑标度对抗成本方面持续受到挑战。尝试改善布线拥塞和单元布置可能能够对所选技术是否可以成本有效地实现产生影响。这些技术通常使用单向金属特征(例如，金属轨道或金属导轨)。然而，单向金属特征对集成电路布局中的有效单元布置和功率布线提出了挑战，因为金属导轨的间距变得更紧，并且占用了更多可用于布置单元的布线轨道。因此，随着特征密度的增大，在诸如电网布局的集成电路布局中持续需要开发更好的单元布置设计并提供更好的布线效率。图1A描绘了具有两个堆叠金属层的典型集成电路布局的实施方案的俯视图表示。集成电路布局100包括具有金属轨道102的第一金属层。布局100还包括具有金属轨道104的第二金属层。金属轨道102可以通过通孔连接106联接到金属轨道104。通孔连接106可以是通过金属层之间的绝缘层的通孔或其他电连接。在某些集成电路布局中，如图1B所示，布局100包括在第一金属层中交替行的金属轨道本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其包括：包括多个金属轨道的第一金属层，其中所述多个金属轨道包括在第一电压下的至少一个第一金属轨道和在第二电压下的至少一个第二金属轨道，所述至少一个第一金属轨道和所述至少一个第二金属轨道在所述第一金属层中基本上平行；所述第一金属层上方的绝缘层；以及所述绝缘层上方的第二金属层，其中所述第二金属层包括第三金属轨道，其中所述第三金属轨道包括彼此电隔离的多个单独金属部分，所述第三金属轨道中的第一单独金属部分连接到在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道，并且所述第三金属轨道中的第二单独金属部分连接到在所述第二电压下的所述至少一个第二金属轨道。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.23 US 15/275,0281.一种集成电路，其包括：包括多个金属轨道的第一金属层，其中所述多个金属轨道包括在第一电压下的至少一个第一金属轨道和在第二电压下的至少一个第二金属轨道，所述至少一个第一金属轨道和所述至少一个第二金属轨道在所述第一金属层中基本上平行；所述第一金属层上方的绝缘层；以及所述绝缘层上方的第二金属层，其中所述第二金属层包括第三金属轨道，其中所述第三金属轨道包括彼此电隔离的多个单独金属部分，所述第三金属轨道中的第一单独金属部分连接到在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道，并且所述第三金属轨道中的第二单独金属部分连接到在所述第二电压下的所述至少一个第二金属轨道。2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三金属轨道中的所述第一单独金属部分通过穿过所述绝缘层的第一通孔连接到所述至少一个第一金属轨道。3.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三金属轨道中的所述第二单独金属部分通过穿过所述绝缘层的第二通孔连接到所述至少一个第二金属轨道。4.如权利要求1所述的集成电路，其还包括所述第二金属层中的第四金属轨道，其中所述第四金属轨道包括彼此电隔离的多个单独金属部分，所述第四金属轨道中的第一单独金属部分连接到在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道，并且所述第四金属轨道中的第二单独金属部分连接到在所述第二电压下的所述至少一个第二金属轨道。5.如权利要求1所述的集成电路，其中，在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道在所述集成电路的两个标准单元之间共享。6.如权利要求1所述的集成电路，其中，连接到所述第一单独金属部分的在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道的一部分和在连接到所述第二独立金属部分的在所述第二电压下的所述至少一个第二金属轨道的一部分位于所述集成电路的标准单元中。7.如权利要求1所述的集成电路，其还包括所述第一金属层中的在所述第一电压下的至少一个附加第一金属轨道，其中在所述第一电压下的所述至少一个附加第一金属轨道连接到所述第三金属轨道中的所述第一单独金属部分。8.如权利要求7所述的集成电路，其中，在所述第一电压下的所述至少一个附加第一金属轨道与在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道位于所述集成电路的不同单元中。9.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属层中的所述金属轨道沿第一方向取向，并且所述第二金属层中的所述第三金属轨道沿第二方向取向，所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。10.一种存储多个指令的非暂时性计算机可读存储介质，所述多个指令在被执行时产生集成电路，所述集成电路包括：包括多个金属轨道的第一金属层，其中，所述多个金属轨道包括在第一电压下的至少一个第一金属轨道和在第二电压下的至少一个第二金属轨道，所述至少一个第一金属轨道和所述至少一个第二金属轨道在所述第一金属层中基本上平行；形成在所述第一金属层上方的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上方的第二金属层，其中，所述第二金属层包括第三金属轨道，其中所述第三金属轨道包括彼此电隔离的多个单独金属部分，所述第三金属中的第一单独金属部分轨道连接到在所述第一电压下的所述至少一个第一金属轨道，并且所述第三金属轨道中的第二单独金属部分连接到在所述第二电压下的所述至少一个第二金属轨道。11.一种集...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·T·舒尔茨，瑞吉娜·蒂恩·施密特，德里克·P·彼得森，陈特轩，伊丽莎白·C·康拉德，凯瑟琳娜·西蒙娜·马泰斯约内斯库，王楚文，
申请(专利权)人：超威半导体公司，ATI科技无限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US