本发明专利技术提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置，该静电保护电路包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间；静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。本发明专利技术的静电保护电路能够提高显示面板的静电保护能力，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。
Electrostatic Protection Circuit, Display Panel and Display Device
【技术实现步骤摘要】
静电保护电路、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种静电保护电路、显示面板和显示装置。
技术介绍
在目前的显示
中，TFT-LCD(ThinFlimTransisitor-LiquidCrystalDisplay)薄膜晶体管液晶显示器和OLED(OrganicLightEmittingDiode)有机发光二极管显示器具有不同的发光原理，是目前市场中较为主流的两种显示器。上面两种显示器在制程中会产生高压静电，静电在显示器中积累容易造成静电击穿(Electro-StaticDischarge，ESD)的现象，导致像素单元的驱动电路中信号传输受阻，影响像素单元的正常驱动及显示，降低显示器的显示效果。目前为避免显示器中形成静电积累，一般会在像素单元的驱动电路中设置ESD保护器件或者ESD保护电路，利用其对显示器中存在的静电进行释放或者消耗，避免静电电荷集中在驱动电路中，从而保证像素单元的正常驱动。然而，目前ESD保护器件或者ESD保护电路常存在保护功能较弱，无法顺利或完全释放显示器中的静电，导致显示器的显示效果较差。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本专利技术提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置，能够提高显示面板和静电保护电路的静电保护能力，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供一种静电保护电路，包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间。静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。当信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，静电保护模块中的至少两个晶体管导通，以使信号线与静电释放模块导通，静电保护电路处于静电保护状态。本专利技术提供的静电保护电路，通过在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性。在上述的静电保护电路中，可选的是，静电保护模块中的至少两个晶体管串联。通过将至少两个晶体管串联，利用栅极宽度较小的晶体管及时导通信号线与静电释放模块，利用栅极宽度较大的晶体管提高静电保护模块的防护力，从而维持静电保护电路工作的稳定性。在上述的静电保护电路中，可选的是，静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线，第一静电释放线中的信号电压高于第二静电释放线中的信号电压。这样的设置可以使得信号线中存在的不同电性的静电时，能够通过信号电压较高的第一静电释放线或信号电压较低的第二静电释放线完成静电释放。在上述的静电保护电路中，可选的是，当静电保护模块连接在信号线和第一静电释放线，或信号线和第二静电释放线之间时，静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一电极和栅极与信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第一电极和栅极连接，第二晶体管的第二电极与第一静电释放线或第二静电释放线电连接。第二晶体管的栅极宽度大于第一晶体管的栅极宽度。在上述的静电保护电路中，可选的是，当静电保护模块连接在信号线和第一静电释放线，以及信号线和第二静电释放线之间时，静电保护模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管的第一电极和栅极与信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第一电极和栅极连接，第二晶体管的第二电极与第一静电释放线连接。第三晶体管的第一电极和栅极与第二静电释放线连接，第三晶体管的第二电极与第四晶体管的第一电极和栅极连接，第四晶体管的第二电极与信号线连接。第二晶体管的栅极宽度大于第一晶体管的栅极宽度，第三晶体管的栅极宽度大于第四晶体管的栅极宽度。在上述的静电保护电路中，可选的是，静电保护模块中的至少两个晶体管的类型相同。这样的设置可以保证信号线上存在静电时，静电可以同时导通至少两个类型相同的晶体管，从而使得信号线与静电释放模块顺利导通，完成静电释放。在上述的静电保护电路中，可选的是，信号线为栅极线、数据线、发光信号线、电源线、触控线或测试信号线中的任意一者或多者。在上述的静电保护电路中，可选的是，第一静电释放线为高电平电源线VDD，第二静电释放线为低电平电源线VSS。或，第一静电释放线为高电平信号线VGH，第二静电释放线为低电平信号线VGL。第二方面，本专利技术提供一种显示面板，包括上述的静电保护电路。本专利技术提供的显示面板，通过在静电保护电路的静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程。第三方面，本专利技术提供一种显示装置，包括上述的显示面板。本专利技术提供的显示装置，通过在显示面板的静电保护电路中，在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。本专利技术的构造以及它的其他专利技术目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的静电保护电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的静电保护电路的连接示意图；图3为本专利技术实施例二提供的静电保护电路的结构示意图；图4为本专利技术实施例二提供的静电保护电路的连接示意图。附图标记说明：10-信号线；20-第一静电释放线；30-第二静电释放线；40-静电保护模块；M1-第一晶体管；M2-第二晶体管；M3-第三晶体管；M4-第四晶体管。具本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，所述静电保护模块连接在所述静电释放模块与所述信号线之间；所述静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度小于远离所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度；当所述信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管导通，以使所述信号线与所述静电释放模块导通，所述静电保护电路处于静电保护状态。
【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，所述静电保护模块连接在所述静电释放模块与所述信号线之间；所述静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度小于远离所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度；当所述信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管导通，以使所述信号线与所述静电释放模块导通，所述静电保护电路处于静电保护状态。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管串联。3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线，且所述第一静电释放线中的信号电压高于所述第二静电释放线中的信号电压。4.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，当所述静电保护模块连接在所述信号线和所述第一静电释放线，或所述信号线和所述第二静电释放线之间时，所述静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的第一电极和栅极与所述信号线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第一电极和栅极连接，所述第二晶体管的第二电极与所述第一静电释放线或所述第二静电释放线电连接；所述第二晶体管的栅极宽度大于所述第一晶体管的栅极宽度。5.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，当所述静电保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：童晓阳，周吉，胡诗犇，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。