【技术实现步骤摘要】
一种带有电压控制辅助电路的晶体管
本专利技术属功率半导体领域，具体涉及一种带有电压控制辅助电路的晶体管。
技术介绍
随着新能源的大力发展及电力电子的广泛应用，普通Si基器件无法满足在高压高温高频率环境下的应用。而第三代半导体如SiC和GaN材料具有禁带宽度大、击穿电压高以及热导率高等优良特性，为新一代电力电子器件和系统提供了可能。然而，由于第三代半导体功率器件的固有特性，现有的针对Si材料的驱动并不适合第三代半导体器件特别是SiCJFET和GaNHEMT的应用，主要表现在：栅极所承受电压较小，一般不超过6V，而现有驱动输入电压则超过10V，这增加了驱动开发难度和成本，也限制了第三代半导体器件的大规模应用。
技术实现思路
针对现有技术缺陷，本专利技术提供一种带有电压控制辅助电路的晶体管。本专利技术在栅极引入电压控制辅助电路Q，其中电压控制辅助电路Q包括参考电压网络V和开关网络C。参考电压网络V在稳态工作时，向开关网络C生成参考电压Vb，Vb使得晶体管的栅极电压Vg在开关工作中处于不被击穿的正常工作电压中，可以兼容传统Si材料驱动的输出电压等极，克服第三代半导体器件栅极易...
【技术保护点】
1.一种带有电压控制辅助电路的晶体管，其特征在于，包括：目标晶体管和电压控制辅助电路；电压控制辅助电路包括参考电压网络和开关网络；当驱动输入电压为稳态第一电位时，电压控制辅助电路中的开关网络为导通状态，晶体管的栅极电压与驱动输入电压同为稳态第一电位；当驱动输入电压为稳态第二电位时，电压控制辅助电路控制开关网络，使得晶体管T的栅极电压稳定在一个预设电压。
【技术特征摘要】
1.一种带有电压控制辅助电路的晶体管，其特征在于，包括：目标晶体管和电压控制辅助电路；电压控制辅助电路包括参考电压网络和开关网络；当驱动输入电压为稳态第一电位时，电压控制辅助电路中的开关网络为导通状态，晶体管的栅极电压与驱动输入电压同为稳态第一电位；当驱动输入电压为稳态第二电位时，电压控制辅助电路控制开关网络，使得晶体管T的栅极电压稳定在一个预设电压。2.根据权利要求1所述的一种带有电压控制辅助电路的晶体管，其特征在于，所述的晶体管在驱动输入电压为稳态第一电位的时候晶体管处于关断状态，在驱动输入电压为稳态第二电位的时候晶体管处于导通状态。3.根据权利要求1所述的一种带有电压控制辅助电路的晶体管，其特征在于，所述的参考电压网络在稳态工作的时候，向开关网络生成一个参考电压。4.根据权利要求1所述的一种带有电压控制辅助电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄兴，陈欣璐，
申请(专利权)人：派恩杰半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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