射频开关电路制造技术

本申请涉及一种射频开关电路。射频开关电路，包括连接在驱动电路和开关MOS管之间的调节电路；驱动电路包括射频开关器件；调节电路包括MOS管K1和电阻R1；MOS管K1的漏极连接电阻R1的一端，源极连接射频开关器件的接收端，栅极分别连接开关MOS管的漏极、电阻R1的另一端。本申请通过将调节电路中MOS管K1的漏极连接关键电阻的一端，源极连接射频开关器件的接收端，栅极分别连接开关MOS管的漏极、关键电阻的另一端，使得在时分双工开关模式下，可以切换关键电阻，一方面既能够选用阻值较大的关键电阻以降低电阻的功耗；另一方面又能为射频开关器件的接收端提供较大的电压，进而提高射频开关电路的隔离度以及稳定性。

RF Switching Circuit

【技术实现步骤摘要】
射频开关电路
本申请涉及无线通信
，特别是涉及一种射频开关电路。
技术介绍
无线通信系统中，第三代移动通信标准的TD-SCDMA(TimeDivision-SynchronousCodeDivisionMultipleAccess，时分同步码分多址)以及第四代移动通信标准的TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution，分时长期演进)都是时分双工模式的，即上下行链路是在同一频率信道的不同时隙，用保证时间来分离。在上述通信系统中，为了提高上下行链路的隔离度，一般利用同步控制信号控制相应链路器件的导通，通过切换射频开关进而提高上下行链路的隔离度。在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：目前的射频开关电路设计存在缺陷，导致了隔离度低和稳定性差的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种隔离度高，稳定性好的射频开关电路。为了实现上述目的，本申请实施例提供了一种射频开关电路，包括连接在驱动电路和开关MOS管之间的调节电路；驱动电路包括射频开关器件；调节电路包括MOS管K1和电阻R1；MOS管K1的漏极连接电阻R1的一端，源极连接射频开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括连接在驱动电路和开关MOS管之间的调节电路；所述驱动电路包括射频开关器件；所述调节电路包括MOS管K1和电阻R1；所述MOS管K1的漏极连接所述电阻R1的一端，源极连接所述射频开关器件的接收端，栅极分别连接所述开关MOS管的漏极、所述电阻R1的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括连接在驱动电路和开关MOS管之间的调节电路；所述驱动电路包括射频开关器件；所述调节电路包括MOS管K1和电阻R1；所述MOS管K1的漏极连接所述电阻R1的一端，源极连接所述射频开关器件的接收端，栅极分别连接所述开关MOS管的漏极、所述电阻R1的另一端。2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，还包括二极管和电阻R2；所述MOS管K1的栅极分别连接所述二极管的正极、所述电阻R2的一端；所述MOS管K1的源极分别连接所述二极管的负极、所述电阻R2的另一端；所述MOS管K1的栅极还连接所述开关MOS管的漏极。3.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，还包括一端连接所述MOS管K1的漏极、另一端连接相应供电模块的电感L1；所述电感L1的一端连接所述电阻R1的一端。4.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，还包括一端连接所述MOS管K1的漏极、另一端接地的电容C1；所述电容C1的一端连接所述电阻R1的一端。5.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，还包括一端连接所述开关MOS管的栅极的电阻R3；所述电阻R3的另一端用于连接相应的外部信号输入端。6.根据权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，还包括电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8以及MOS管K2；所述电阻R4的一端连接所述射频开关器件的天线端，另一端用于连接相应的供电模块；所述电阻R5的一端连接所述射频开关器件的偏置端，另一端连接所述MOS管K2的漏极；所述电阻R6的一端连接所述MOS管K2的栅极，另一端用于连接所述外部信号输入端；所述电阻R7的一端、所述电阻R8的一端连接所述MOS管K2的漏极；所述电阻R7的另一端、所述电阻R8的另一端用于连接相应的供电模块；所述MOS管K2的漏极还连接所述射频开关器件的发射端，源极接地。7.根据权利要求6所述的射频开关电路，其特征在于，还包括电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李合理，朱金雄，
申请(专利权)人：京信通信系统中国有限公司，京信通信系统广州有限公司，京信通信技术广州有限公司，天津京信通信系统有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44