一种高压KGD测试夹具及测试装置制造方法及图纸

本技术涉及功率器件高压测试技术，公开了一种高压KGD测试夹具及测试装置，其包括夹具基板(1)，其夹具基板(1)上设有凹槽单元(2)，凹槽单元(2)连接有功率器件芯片凸台单元(4)，功率器件芯片凸台单元(4)上设有真空吸附单元(3)，功率器件芯片通过真空吸附单元(3)吸附于功率器件芯片凸台单元上；本技术通过真空吸附单元吸附住功率器件芯片用于进行测试，其夹具结构简单，且成本低。本技术通过喷涂氟油在单颗芯片的上表面进行绝缘，达到对功率器件裸芯片进行高压参数测试的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率器件高压测试技术，尤其涉及了用于碳化硅mosfet功率器件及硅基igbt功率器件的高压kgd测试夹具及测试装置。

技术介绍

1、碳化硅功率器件有高压、高频、高温等优良特性，对芯片的高压参数测试提出了巨大的挑战。对于模块的封装需要提前对划片后的单颗裸芯片的所有参数进行测试，其中高压参数的测试带来了很大的挑战，特别是芯片面积相对更小的碳化硅芯片，高压测试容易打火(高压电火花击穿空气)，无法进行碳化硅芯片高压参数测试。目前的高压kgd方案并不适用于碳化硅的芯片测试。若无法进行高压参数测试，则会导致模块的封装良率大大降低，造成极大的损失。急需高压kgd方案对碳化硅裸芯片进行高压参数的测试。

2、kgd：know good die；指的是划片后有多颗裸芯片die，需要对每颗裸芯片的性能进行尽量的全面参数测试。功率器件芯片遇到高压打火问题，是目前业界的难题。

3、如现有技术cn202110748516.4；一种igbt&功率器件芯片的测试治具现有技术中的kgd测试装置，其设计复杂，而且不能很好的用于高压功率器件芯片测试。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压KGD测试夹具，包括夹具基板(1)，其特征在于，夹具基板(1)上设有凹槽单元(2)，凹槽单元(2)连接有功率器件芯片凸台单元(4)，功率器件芯片凸台单元(4)上设有真空吸附单元(3)，单颗功率器件裸芯片通过真空吸附单元(3)吸附于功率器件芯片凸台单元(4)上。

2.根据权利要求1所述的一种高压KGD测试夹具，其特征在于，功率器件裸芯片的KGD测试在电性能测试前芯片上表面喷涂氟油。

3.根据权利要求1所述的一种高压KGD测试夹具，其特征在于，凹槽单元(2)上设有用于芯片氟油溢出的凹槽孔(21)；且凹槽孔(21)位于凹槽单元(2)的四周。

4....

【技术特征摘要】

1.一种高压kgd测试夹具，包括夹具基板(1)，其特征在于，夹具基板(1)上设有凹槽单元(2)，凹槽单元(2)连接有功率器件芯片凸台单元(4)，功率器件芯片凸台单元(4)上设有真空吸附单元(3)，单颗功率器件裸芯片通过真空吸附单元(3)吸附于功率器件芯片凸台单元(4)上。

2.根据权利要求1所述的一种高压kgd测试夹具，其特征在于，功率器件裸芯片的kgd测试在电性能测试前芯片上表面喷涂氟油。

3.根据权利要求1所述的一种高压kgd测试夹具，其特征在于，凹槽单元(2)上设有用于芯片氟油溢出的凹槽孔(21)；且凹槽孔(21)位于凹槽单元(2)的四周。

4.根据权利要求1所述的一种高压...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪剑华，徐洋，李迪，罗航，王丽萍，刘进，
申请(专利权)人：派恩杰半导体杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：