高密度IDF型引线框架制造技术

本发明专利技术适用于半导体封装技术领域，提供了一种高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、上挡杆和下挡杆；每个安装单元的上引脚插入位于其上方的安装单元的下引脚之间，且每个安装单元的上引脚与位于其上方的安装单元的下档杆间距设置，每个安装单元的下引脚与位于其下方的安装单元的上档杆间距设置。进而可以实现安装单元的高密度IDF型排列，降低生产成本，提高生产效率，且焊锡可以沿着上引脚以及下引脚的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。

High Density IDF Lead Frame

【技术实现步骤摘要】
高密度IDF型引线框架
本专利技术属于半导体封装
，具体涉及到一种高密度IDF型引线框架。
技术介绍
芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。分立器件和IC是两个相对的概念，分立器件是具有单一功能的芯片，而IC是集成了多种器件功能的复杂的集成电路，两者互不可替代，各自具有十分广泛的应用领域。目前分立器件主要是二极管、三极管、mos管产品，随着工艺的进一步成熟，芯片尺寸越来越小，单个圆片上集成的管芯数量越来越多。分立器件大都是贴片式封装，需要焊接到PCB板上使用。传统IDF设计的SOT-23单元，例如申请号为201610017709.1的中国专利，虽然能够提高安装单元密度，但是由于其挡杆(即dambar，在集成电路封装领域，具体指设置于框架与外引脚之间以及外引脚与外引脚之间的空隙处的金属杆，塑封时可以起到阻止塑封料向外引脚处流动的作用，防止造成“溢胶”)与与相邻的下方的引脚连接，进而在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术中SOT-23单元在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差的不足，提供了一种高密度IDF型引线框架。本专利技术是这样实现的：高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、下引脚与上引脚连接的上挡杆以及与下引脚连接的下挡杆；其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。作为本专利技术的一个优选方案，每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。作为本专利技术的一个优选方案，每个所述上引脚与所述上档杆相近处的外侧构造有圆角；每个所述下引脚与所述下档杆相近处的外侧构造有圆角。作为本专利技术的一个优选方案，所述圆角的的半径为0.08mm。作为本专利技术的一个优选方案，所述圆角的角度为150°。作为本专利技术的一个优选方案，每个所述安装单元中所述下引脚的数量为2个，每个所述安装单元中所述上引脚的数量为一个。作为本专利技术的一个优选方案，还包括基板，所述基板上构造有多个并列设置的所述安装单元组。作为本专利技术的一个优选方案，每个安装单元组与其相邻的安装单元组的距离为2.55mm。作为本专利技术的一个优选方案，所述基板的宽度为78mm。作为本专利技术的一个优选方案，所述安装单元组的排数为27。本专利技术提供的一种高密度IDF型引线框架，相对于现有技术，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，形成IDF型排列结构，进而可相对减少每两个安装单元之间的距离(即安装单元组的步距)，增加单位面积的安装单元的数量，即增加单位面积内的安装单元组的组数，提高了引线框材料利用率，可降低生产成本，提高生产效率。并且，在切筋工序时，不会切除破坏上引脚以及下引脚的前端面，即上引脚以及下引脚的端面全部镀锡(包括前端面)，变相的增加了上引脚以及下引脚的电镀上锡面积，有利于后续的引脚焊接作业，使得上引脚以及下引脚在后续焊接作业中，焊锡可以沿着上引脚以及下引脚的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。以下附图仅旨在于对本专利技术做示意性说明和解释，并不限定本专利技术的范围。图1是本专利技术实施例提供的高密度IDF型引线框架的结构示意图；图2是图1中两个相邻的安装单元的配合示意图；附图标号说明：1、安装单元组；11、安装单元；111、上引脚；112、下引脚；113、上挡杆；114、下挡杆；2、基板；具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例具体的，请参阅图1-图2，本实施例公开了一种高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组1，每个安装单元组1包括多个水平排列的安装单元11，每个安装单元11包括上引脚111、下引脚112与上引脚112连接的上挡杆113以及与下引脚112连接的下挡杆114；其中，每个安装单元11的上引脚111插入位于其上方的安装单元11的下引脚112之间，基板2上且每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114间距设置，每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113间距设置。上述中，具体的，该高密度IDF型引线框架结构，每个安装单元11的上引脚111插入位于其上方的安装单元11的下引脚112之间，形成IDF型排列结构，进而可相对减少每两个安装单元11之间的距离(即安装单元组1的步距)，增加单位面积的安装单元11的数量，即增加单位面积内的安装单元组1的组数，提高了引线框材料利用率，可降低生产成本，提高生产效率。并且，每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114间距设置，每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113间距设置。进而在切筋工序时，不会切除破坏上引脚111以及下引脚112的前端面，即上引脚111以及下引脚112的端面全部镀锡(包括前端面)，变相的增加了上引脚111以及下引脚112的电镀上锡面积，有利于后续的引脚焊接作业，使得上引脚111以及下引脚112在后续焊接作业中，焊锡可以沿着上引脚111以及下引脚112的前端面上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。作为本专利技术的一个优选方案，每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。上述中，具体的，在本实施例中，对于每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小以及每个安装单元11的下引脚112与位于其下方的安装单元11的上档杆113之间的间距大小不做限制，以可以实现上述中的功能和效果为准，当然，在本实施例中，可以优选每个安装单元11的上引脚111与位于其上方的安装单元11的下档杆114之间的间距大小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高密度IDF型引线框架，其特征在于，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个所述安装单元上引脚、下引脚与上引脚连接的上挡杆以及与下引脚连接的下挡杆；其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。

【技术特征摘要】
1.高密度IDF型引线框架，其特征在于，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个所述安装单元上引脚、下引脚与上引脚连接的上挡杆以及与下引脚连接的下挡杆；其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。2.如权利要求1所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。3.如权利要求1所述的高密度IDF型引线框架，其特征在于，每个所述上引脚与所述上档杆相近处的外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：施锦源，刘兴波，宋波，唐海波，
申请(专利权)人：深圳市信展通电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44