银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法。相对于组合物的总重量，该银薄膜蚀刻液组合物包含7至15重量％的硝酸、3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、5至15重量％的硫酸盐及余量的水。该银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。

Composition of silver film etching solution, etching method with it and metal pattern forming method

【技术实现步骤摘要】
银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法
本专利技术涉及一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法。
技术介绍
随着步入真正的信息化时代，用于处理及显示大量信息的显示器领域急速发展，与此相应地开发了多种平板显示器并受到关注。作为这种平板显示装置的例，可列举液晶显示器装置(Liquidcrystaldisplaydevice：LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice：PDP)、场致发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice：FED)、电致发光显示装置(ElectroluminescenceDisplaydevice：ELD)、有机发光显示装置(OrganicLightEmittingDiodes：OLED)等，这种平板显示装置不仅在电视机或录像机等家电领域而且在如笔记本等的计算机及移动电话等中以多种用途被使用。这些平板显示装置因薄型化、轻量化及低耗电等优异的性能而迅速替代了以往使用的阴极射线管(CathodeRayTube：NIT)。特别是，由于OLED(有机发光二极管)元件自身发出光且在低电压下也能够被驱动，因此近年来在便携设备等小型显示器市场中迅速应用OLED。此外，OLED处于越过小型显示器而实现大型TV的商用化的状态。另外，如氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)、氧化铟锌(IndiumZincOxide,IZO)等的导电性金属对光的透射率比较优异，并且具有导电性，因此作为平板显示装置中使用的滤色器的电极而被广泛使用。但是，这些金属还具有高电阻，在通过改善响应速度来实现平板显示装置的大型化及高分辨率时成为障碍。此外，在反射板的情况下，以往主要将铝(Al)反射板用于产品，但为了通过提高亮度来实现低耗电，处于摸索朝向反射率更高的金属变更材料的状态。为此，欲通过将与平板显示装置中应用的金属相比具有较低的比电阻和较高的亮度的银(Ag：比电阻为约1.59μΩcm)膜、银合金或包含该银合金的多层膜应用到滤色器的电极、LCD或OLED布线及反射板中，实现平板显示装置的大型化和高分辨率及低耗电等，与此相应地要求开发用于应用该材料的蚀刻液。但是，对于玻璃等的绝缘基板或者由本征非晶硅或掺杂的非晶硅等构成的半导体基板等的下部基板，银(Ag)的粘着性(adhesion)非常差，从而不易进行沉积，容易诱发布线的浮起(lifting)或剥离(Peeling)。此外，在银(Ag)导电层被沉积在基板上的情况下，为了进行该银导电层的图案化，也需要使用蚀刻液。在作为这种蚀刻液而使用现有的蚀刻液的情况下，由于银(Ag)被过度蚀刻或银(Ag)被不均匀地蚀刻而发生布线的浮起或剥离现象，布线的侧面轮廓较差。此外，在进行用于实现高分辨率的低歪斜(LOWSkew)实现工序时存在困难。特别是，银(Ag)为容易被还原的金属，因银的蚀刻速度快而在不产生残渣的情况下被蚀刻，但此时因银的蚀刻速度快而不会发生上下部之间的蚀刻速度差，难以形成蚀刻后的锥角(taperangle)且难以确保蚀刻图案的直进性，从而在形成布线及图案时具有较多的局限。在金属膜垂直立起而没有锥角(taperangle)的情况下，后续工序中形成绝缘膜或后续布线时，有可能会在银(Ag)与绝缘膜或布线之间发生空隙，并且这种空隙成为发生电短路等不良情况的原因。韩国公开专利第10-2013-0130515号涉及一种含银图案的蚀刻液，公开了能够同时蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜及由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜的蚀刻液组合物，但没有完全解决作为该
的主要问题的残渣及银再吸附问题。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国公开专利第10-2013-0130515号
技术实现思路
技术问题本专利技术是为了改善上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种银薄膜蚀刻液组合物，所述银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。此外，本专利技术的目的是提供一种能够同时蚀刻所述单层膜和所述多层膜的银薄膜蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的是提供一种能够通过控制蚀刻速度而调节侧面蚀刻(sideetch)的银薄膜蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的是提供一种能够有效地应用到呈现蚀刻均匀性而没有对下部膜的损伤的湿式蚀刻的银薄膜蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的是提供一种利用所述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外，本专利技术的目的是提供一种利用所述银薄膜蚀刻液组合物的金属图案形成方法。用于解决问题的手段为了实现上述目的，本专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物，该银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物的总重量，包含A：7至15重量％的硝酸、B-1：3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、B-2：10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、B-3：15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、B-4：5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、C：5至15重量％的硫酸盐及D：余量的水。此外，本专利技术提供一种使用所述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外，本专利技术提供一种使用所述银薄膜蚀刻液组合物的金属图案形成方法。专利技术效果本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且提供不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题的效果。此外，本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物提供同时蚀刻所述单层膜和所述多层膜并提高蚀刻效率的效果。此外，本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物能够通过发生蚀刻终止(etchstop)现象而控制蚀刻速度并调节侧面蚀刻(sideetch)的效果。此外，本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物能够有效地应用到呈现蚀刻均匀性而没有对下部膜的损伤的湿式蚀刻。具体实施方式本专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物，该银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物的总重量，包含A：7至15重量％的硝酸、B-1：3至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸、B-2：10至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸、B-3：15至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸、B-4：5至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸、C：5至15重量％的硫酸盐及D：余量的水。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，能够用于蚀刻由银(Ag)或银合金组成的单层膜及由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明传导膜残渣等)及银再吸附问题。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻所述单层膜及所述多层膜。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物可提供能够通过产生蚀刻终止现象而控制蚀刻速度并调节侧面蚀刻的效果。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物能够有效地应用到呈现蚀刻均匀性而没有对下部膜的损伤的湿式蚀刻。所述银合金以银为主成分，可具有包含Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、Pa及Ti等的其他金属的合金形态，和银的氮化物、硅化物、碳化物及氧化物等，但并不限于此。所述透明传导膜可包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)及氧化铟镓锌(IGZO)组成的组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：A：7重量％至15重量％的硝酸；B‑1：3重量％至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸；B‑2：10重量％至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸；B‑3：15重量％至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸；B‑4：5重量％至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸；C：5重量％至15重量％的硫酸盐；及D：余量的水。

【技术特征摘要】
2018.02.13 KR 10-2018-00179321.一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：A：7重量％至15重量％的硝酸；B-1：3重量％至8重量％的碳原子数为1至3的烷基磺酸；B-2：10重量％至20重量％的除烷基磺酸以外的第一有机酸；B-3：15重量％至35重量％的除烷基磺酸以外的第二有机酸；B-4：5重量％至15重量％的除烷基磺酸以外的第三有机酸；C：5重量％至15重量％的硫酸盐；及D：余量的水。2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-1中的碳原子数为1至3的烷基磺酸为甲磺酸。3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-2中的除烷基磺酸以外的第一有机酸包含单羧基。4.根据权利要求3所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-2中的除烷基磺酸以外的第一有机酸包含选自由乙酸、乙醇酸、丙酸及丁酸组成的组中的一种以上。5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-3中的除烷基磺酸以外的第二有机酸包含单羧基或多羧基、和单羟基或多羟基。6.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-3中的除烷基磺酸以外的第二有机酸包含选自由柠檬酸、乳酸、酒石酸及甘油酸组成的组中的一种以上。7.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B-4中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：南基龙，尹暎晋，李原昊，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR