【技术实现步骤摘要】
一种带有沟槽电极的高压二极管
本专利技术属于功率半导体领域,具体涉及一种带有沟槽电极的高压二极管。
技术介绍
在功率器件领域,传统的肖特基二极管(SBD)由于肖特基势垒反向耐压能力低、漏电流大限制了其在高压领域的应用,因此工业界普遍采用结势垒肖特基二极管(JBS)结构,在N型外延层中注入P型形成PiN结,增加二极管的反向耐压并减小漏电流。然而,由于JBS器件引入PiN结,使得正向偏置时电流只能通过肖特基接触区,这使得相同面积的二极管JBS正向导通电流要小于SBD器件。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本专利技术提供一种带有沟槽电极的高压二极管,在有源区引入沟槽结构(004)并在沟槽侧壁形成肖特基接触阳极。在二极管正偏时,增大正向导通时的电流密度,大大降低了产品成本;在反偏时,侧壁肖特基电极为横向结构,避免了纵向电场的扩展,从而减小了漏电流。实现本专利技术的技术方案为:底部电极层(001),重掺杂第一导电类型半导体材料层(002),轻掺杂的第一导电类型半导体材料层(003),从表面伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层(003)的沟槽结构(004)。所述沟槽结构(004)的侧壁处,设有顶部电极层(005)与轻掺杂第一导电类型半导体材料层(003)的接触界面。所述沟槽结构(004)的底部设有第二导电类型注入区(006)。其中,所述的半导体材料为硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、金刚石之中的至少一种或者几种组成。其中,所述的顶部电极层(005)由Ti、Ni、Mo、Pt、Si、Ge、Al、TiN、W、TiW、Au之中的至少一种组成。其中,所述的钝化层由绝缘材料组成, ...
【技术保护点】
1.一种带有沟槽电极的高压二极管,其特征在于,包括:底部电极层(001),重掺杂第一导电类型半导体材料层(002),轻掺杂第一导电类型半导体材料层(003),从表面伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层(003)的沟槽结构(004);所述沟槽结构(004)的侧壁处,设有顶部电极层(005)与轻掺杂第一导电类型半导体材料层(003)的接触界面;所述沟槽结构(004)的底部设有第二导电类型注入区(006)。
【技术特征摘要】
1.一种带有沟槽电极的高压二极管,其特征在于,包括:底部电极层(001),重掺杂第一导电类型半导体材料层(002),轻掺杂第一导电类型半导体材料层(003),从表面伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层(003)的沟槽结构(004);所述沟槽结构(004)的侧壁处,设有顶部电极层(005)与轻掺杂第一导电类型半导体材料层(003)的接触界面;所述沟槽结构(004)的底部设有第二导电类型注入区(006)。2.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管,其特征在于,所述的半导体材料为硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、金刚石之中的至少一种或者几种组成。3.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管,其特征在于,所述的顶部电极层(005)由Ti、Ni、Mo、Pt、Si、Ge、Al、TiN、W、TiW、Au之中的至少一种组成。4.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄兴,陈欣璐,
申请(专利权)人:派恩杰半导体杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。