一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，包括N‑外延层；若干P型离子注入区，间隔设置于N‑外延层中，且相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于N‑外延层上表面，且P型离子注入区与第一金属层的交界面、N‑外延层与第一金属层的交界面均为肖特基接触。本发明专利技术所提出的结型势垒肖特基二极管的相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小，从而在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小了结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生。

A Structured Barrier Schottky Diode with Suppression of Local Electromigration

【技术实现步骤摘要】
一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管。
技术介绍
宽带隙半导体材料碳化硅具有较大的禁带宽度，较高的临界击穿电场，高热导率和高电子饱和漂移速度等优良物理和化学特性，适合制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件。在功率电子领域中，JBS二极管(结型势垒肖特基二极管，JunctionBarrierSchottkyDiode)已被广泛应用，其具有良好的正向导通特性、反向漏电流小等特点。但是由于JBS二极管不同位置所接触的封装面积不同，导致JBS二极管不同位置的散热条件不同，最终导致JBS二极管中心温度大于其周围区域温度，而这个温度差会导致JBS二极管不同位置载流子迁移率不同，电流分布不均匀，JBS二极管出现局部电迁移现象，从而影响JBS二极管的可靠性。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，包括：N-外延层；若干所述P型离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：N‑外延层；若干所述P型离子注入区，间隔设置于所述N‑外延层中，且相邻两个所述P型离子注入区之间的间隔从所述结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于所述N‑外延层上表面，且所述P型离子注入区与所述第一金属层的交界面为肖特基接触或欧姆接触，所述N‑外延层与所述第一金属层的交界面为肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：N-外延层；若干所述P型离子注入区，间隔设置于所述N-外延层中，且相邻两个所述P型离子注入区之间的间隔从所述结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于所述N-外延层上表面，且所述P型离子注入区与所述第一金属层的交界面为肖特基接触或欧姆接触，所述N-外延层与所述第一金属层的交界面为肖特基接触。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一趋势为相邻两个所述P型离子注入区之间的间隔从所述结型势垒肖特基二极管的边缘至中心依次减小。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二趋势...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤晓燕，范鑫，宋庆文，袁昊，何晓宁，张玉明，张艺蒙，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61