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本发明公开了一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，包括N‑外延层；若干P型离子注入区，间隔设置于N‑外延层中，且相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于N...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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