一种沟槽肖特基二极管及制作方法技术

本申请提供一种沟槽肖特基二极管及制作方法，属于半导体技术领域。沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，基底的表面为外延层；沟槽，外延层的表面具有沟槽；栅氧化层，外延层的表面和沟槽内具有栅氧化层；多晶硅层，栅氧化层的表面为多晶硅层；势垒源区，两个沟槽间的外延层的表面为势垒源区；金属层，金属层包括第一金属层和第二金属层，势垒源区的表面为所第一金属层，第一金属层的表面为第二金属层。该沟槽肖特基二极管可以通过调节第一金属层和第二金属层的厚度配比，最终改变生成的势垒硅化物的功函数，从而改变沟槽肖特基势垒高度，并且生成的势垒硅化物厚度增加，使沟槽肖特基二极管的电学性能提高。

A Grooved Schottky Diode and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽肖特基二极管及制作方法
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种沟槽肖特基二极管及制作方法。
技术介绍
沟槽肖特基二极管是在利用槽内部的金属-氧化物-半导体(MOS)结构的电荷耦合作用，改变耗尽区域内的电场分布，从而提升器件的正反向特性。但是现有技术中的沟槽肖特基二极管的势垒高度不能根据需要调整，无法满足不同的占空比对肖特基正反向特性提出不同的要求。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种沟槽肖特基二极管及制作方法，引入第一金属层和第二金属层，可以通过调节第一金属层和第二金属层的厚度配比，改变生成的势垒硅化物的功函数，从而调整肖特基势垒高度，丰富了产品电参数的可调节性，还使势垒硅化物厚度增加，稳定性更优。本申请实施例是采用以下技术方案实现的：一种沟槽肖特基二极管，所述沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，所述基底的表面为所述外延层；沟槽，所述外延层的表面具有所述沟槽；栅氧化层，所述外延层的表面和所述沟槽内具有所述栅氧化层；多晶硅层，所述栅氧化层的表面为所述多晶硅层；势垒源区，两个所述沟槽间的所述外延层的表面为势垒源区；金属层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述势垒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，所述基底的表面为所述外延层；沟槽，所述外延层的表面具有所述沟槽；栅氧化层，所述外延层的表面和所述沟槽内具有所述栅氧化层；多晶硅层，所述栅氧化层的表面为所述多晶硅层；势垒源区，两个所述沟槽间的所述外延层的表面为所述势垒源区；金属层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述势垒源区的表面为所述第一金属层，所述第一金属层的表面为所述第二金属层。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，所述基底的表面为所述外延层；沟槽，所述外延层的表面具有所述沟槽；栅氧化层，所述外延层的表面和所述沟槽内具有所述栅氧化层；多晶硅层，所述栅氧化层的表面为所述多晶硅层；势垒源区，两个所述沟槽间的所述外延层的表面为所述势垒源区；金属层，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述势垒源区的表面为所述第一金属层，所述第一金属层的表面为所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层的金属功函数大于4.5电子伏特，所述第二金属层的金属功函数小于4.5电子伏特。3.根据权利要求2所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层厚度小于300埃米，所述第二金属层厚度大于800埃米。4.根据权利要求3所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层厚度范围为50～300埃米，所述第二金属层厚度范围为800～3000埃米。5.根据权利要求1所述的沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均形成于所述外延层的表面，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度，所述栅氧化层形成于所述外延层表面、所述第一沟槽和所述第二沟槽内。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，孟鹤，刘维，
申请(专利权)人：吉林麦吉柯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22