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本申请提供一种沟槽肖特基二极管及制作方法，属于半导体技术领域。沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，基底的表面为外延层；沟槽，外延层的表面具有沟槽；栅氧化层，外延层的表面和沟槽内具有栅氧化层；多晶硅层，栅氧化层的表面为多晶硅层；势垒源区，两个...
该专利属于吉林麦吉柯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林麦吉柯半导体有限公司授权不得商用。

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