【技术实现步骤摘要】
三维NAND存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种三维NAND存储器及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，开发出了各种半导体存储器件，如或非(NOR)闪存、与非(NAND)闪存等。相对于常规存储装置如磁存储器件，半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。其中，NAND结构正受到越来越多的关注。为进一步提升存储密度，出现了三维(3D)NAND存储器。三维NAND存储器是一种基于平面NAND存储器的新型产品，这种产品的主要特色是将平面结果转化为立体结构，大大节省了硅片面积，降低制造成本。三维NAND存储器的形成方法一般是在基底上形成由牺牲层与间隔层交错堆叠的堆叠结构，然后在堆叠结构内形成沟道结构，之后在堆叠结构内形成沟槽，通过沟槽去除牺牲层，然后在间隔层之间形成金属层，最后对金属层进行回刻蚀。但是在对金属层进行回刻蚀的过程中会导致堆叠结构最底部的金属层被完全刻蚀，堆叠结构仅通过沟道结构进行支撑，容易导致存储器的倒塌。
技术实现思路
本专利技术提供一种三维NAND存储器及其形成方法，在堆叠结构内靠近基底的第一层金属层内形成支撑部，避免...
【技术保护点】
1.一种三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成牺牲层与间隔层交替层叠的堆叠结构，在所述堆叠结构中靠近所述基底的第一层牺牲层内形成多个凹槽，所述凹槽暴露出所述基底，且在所述凹槽内形成支撑部。
【技术特征摘要】
1.一种三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成牺牲层与间隔层交替层叠的堆叠结构，在所述堆叠结构中靠近所述基底的第一层牺牲层内形成多个凹槽，所述凹槽暴露出所述基底，且在所述凹槽内形成支撑部。2.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述支撑部的方法包括：在所述第一层牺牲层上形成一绝缘层，所述绝缘层填满所述凹槽并覆盖所述第一层牺牲层；对所述绝缘层进行平坦化，至暴露出所述第一层牺牲层，在所述凹槽内形成支撑部。3.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述支撑部的方法包括：在所述第一层牺牲层上形成一间隔材料层，所述间隔材料层填满所述凹槽并覆盖所述第一层牺牲层，在所述凹槽内形成支撑部；对所述间隔材料层进行平坦化，形成第一层间隔层。4.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述堆叠结构之前，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：在所述基底上形成初始间隔层。5.如权利要求1所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，形成所述堆叠结构之后，所述三维NAND存储器的形成方法还包括：形成多个沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆叠结构，并停止在所述基底中；在所述沟道孔内形成沟道结构。6.如权利要求5所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，位于所述第一层牺牲层内的多个凹槽均排列成两行，所述沟道孔位于两行所述凹槽之间，且所述沟道孔排列成两行，行的延伸方向为第一方向。7.如权利要求6所述的三维NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述凹槽与所述沟道孔在第二方向上相互错开，所述第二方向与所述第一方向垂直。8.如权利要求7所述的三维NAND存储器的形成方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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