温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种三维NAND存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供一基底，在所述基底上形成牺牲层与间隔层交替层叠的堆叠结构，在所述堆叠结构中靠近所述基底的第一层牺牲层内形成多个凹槽，所述凹槽暴露出所述基底，且在所述凹槽内形成支撑部，所述...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。