热处理方法技术

本发明专利技术提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。

Heat treatment method

【技术实现步骤摘要】
热处理方法
本专利技术涉及一种对半导体衬底导入掺杂剂的热处理方法。
技术介绍
在半导体元件的制造工艺中，对单晶硅或锗导入掺杂剂是必不可少的工序。通过导入掺杂剂，而制成n型半导体或p型半导体。掺杂剂的导入典型地通过以下方式实现：对硅等半导体衬底利用离子注入法注入硼(B)、砷(As)、磷(P)等掺杂剂原子，并对该半导体衬底实施退火处理使掺杂剂原子活化。然而，离子注入法存在单晶硅等产生结晶缺陷的问题。另外，近年来，尝试使以往的平面型(planartype)的元件构造为立体构造而提高元件性能(例如，FinFET(FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管)等)。在这种立体构造的情况下，有时利用以往以来为主流的离子注入法难以向必要的部位注入掺杂剂。因此，作为与离子注入法不同的掺杂剂导入技术，提出了通过将添加了硼或磷等掺杂剂的氧化物的薄膜(PSG膜、BSG膜等)成膜在半导体衬底上，并对它实施退火处理来使掺杂剂原子从该薄膜扩散至半导体中(例如，专利文献1等)。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2007-201337号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于对半导体衬底导入掺杂剂，且具备：氢气退火工序，将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体衬底在包含氢气的气氛中加热至第1温度；以及毫秒退火工序，在与氢气不同的气体的气氛中将所述半导体衬底小于1秒地加热至温度比所述第1温度高的第2温度。

【技术特征摘要】
2018.02.05 JP 2018-0178531.一种热处理方法，其特征在于对半导体衬底导入掺杂剂，且具备：氢气退火工序，将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体衬底在包含氢气的气氛中加热至第1温度；以及毫秒退火工序，在与氢气不同的气体的气氛中将所述半导体衬底小于1秒地加热至温度比所述第1温度高的第2温度。2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，在所述氢气退火工序与所述毫秒退火工序之间还具备预加热工序，该预加热工序将所述半导体衬底加热至比所述第1温度高且比所述第2温度低的...

【专利技术属性】
技术研发人员：布施和彦，河原崎光，谷村英昭，加藤慎一，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP