【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法
本专利技术属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备方法。
技术介绍
对于pn同质结结构的晶体硅太阳电池,扩散法是迄今为止制备重掺杂的n型晶体硅层或p型晶体硅层最常用的方法。采用扩散法制备的n型晶体硅薄膜,一般作为p型晶体硅太阳电池的发射极,或作为n型晶体硅太阳电池的背电场。该方法一般采用三氯氧磷作为掺杂源,将掺杂源与氧气以氮气作为载气通入到扩散炉中,在约800-900℃的温度下在硅片表面反应沉积,生成磷硅玻璃,该物质中的磷再扩散进入硅片中,形成一层重掺杂的n型晶体硅层。在这个过程中,生成的磷硅玻璃层还有吸杂的作用,会将硅片中的部分金属原子吸到磷硅玻璃层中,在扩散后的清洗过程中去除掉,从而可改善硅片的性能,利于太阳电池性能的提高。除了这种扩散法外,还有一种方法,是在硅片表面沉积一次重掺杂磷原子的硅薄膜或氧化硅薄膜(CN107749396A,CN104538485A),然后在含氧气氛中高温处理,这样表面这层硅薄膜就会被氧化,变成磷硅玻璃,并且其中的磷原子还会向硅片中扩散,形成一层重掺杂的n型晶体硅层。采用扩散法制备p型晶体硅薄 ...
【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法,其特征是包括以下步骤:(1)将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片,在通有无氧气氛的高温炉中在810‑1050℃温度范围进行扩散;(2)在扩散结束后将炉温降到700‑800℃之间,通入氧气体积浓度>2%的气氛,进行20‑200min的退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法,其特征是包括以下步骤:(1)将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片,在通有无氧气氛的高温炉中在810-1050℃温度范围进行扩散;(2)在扩散结束后将炉温降到700-800℃之间,通入氧气体积浓度>2%的气氛,进行20-200min的退火处理。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法,其特征是所述源层薄膜为非晶硅薄膜。3.根据权利要求1所述的一种晶...
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