温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法，包括：将表面沉积了不含氧且含有高浓度掺杂原子的源层薄膜的硅片，在通有无氧气氛的高温炉中在810‑1050℃温度范围进行扩散；在扩散结束后将炉温降到700‑800℃，通入氧气体积浓度>2%的气氛，进行20‑2...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。