晶圆键合方法以及键合晶圆技术

一种晶圆键合方法以及键合晶圆，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆内形成有半导体器件，所述第一晶圆包括中心区域以及环绕所述中心区域的边缘区域；在所述第一晶圆的表面形成介质层；对所述第一晶圆进行边缘研磨修剪，以去除所述边缘区域表面的介质层，以及所述介质层覆盖的所述第一晶圆的一部分；提供第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，其中，所述介质层朝向所述第二晶圆。本发明专利技术方案可以有效地避免在晶圆键合后斜坡平面与第二晶圆之间的夹缝容易产生空洞和灰边的问题，提高键合晶圆的品质。

【技术实现步骤摘要】
晶圆键合方法以及键合晶圆
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆键合方法以及键合晶圆。
技术介绍
图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。以背照式(Back-sideIllumination，BSI)CIS为例，在现有的制造工艺中，先在器件晶圆内形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后将承载晶圆的正面与所述器件晶圆的正面键合，进而对半导体衬底的背部进行减薄，进而在半导体衬底的背面形成CIS的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成网格状的格栅(Grid)，在所述格栅之间的网格内形成滤光镜(Filter)矩阵等。目前，在将承载晶圆的正面与所述器件晶圆的正面键合的工艺中，为了减少晶圆边缘的空洞和灰边，通常会沉积很厚的氧化膜，然后通过化学机械研磨来优化晶圆边缘的状况，但仍然存在空洞和灰边，亟需一种晶圆键合方法，对晶圆边缘进行优化。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种晶圆键合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆内形成有半导体器件，所述第一晶圆包括中心区域以及环绕所述中心区域的边缘区域；在所述第一晶圆的表面形成介质层；对所述第一晶圆进行边缘研磨修剪，以去除所述边缘区域表面的介质层，以及所述介质层覆盖的所述第一晶圆的一部分；提供第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，其中，所述介质层朝向所述第二晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆内形成有半导体器件，所述第一晶圆包括中心区域以及环绕所述中心区域的边缘区域；在所述第一晶圆的表面形成介质层；对所述第一晶圆进行边缘研磨修剪，以去除所述边缘区域表面的介质层，以及所述介质层覆盖的所述第一晶圆的一部分；提供第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，其中，所述介质层朝向所述第二晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述介质层的材料选自氧化硅以及氮化硅。3.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在形成所述介质层之后，还包括：对所述介质层进行平坦化。4.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述介质层的厚度为500nm至3000nm。5.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用研磨设备对所述第一晶圆进行边缘研磨修剪；其中，所述研磨设备为圆筒状...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵源，王淞山，许力恒，赵强，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32