FinFET的掺杂方法技术

一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底(1)和位于衬底(1)上平行间隔设置的Fin(21,22)，每根Fin(21,22)包括顶面、相对的第一侧壁和第二侧壁，掺杂方法包括：在每根Fin(21,22)的表面形成电介质层(31,32)，该电介质层(31,32)覆盖Fin(21,22)的顶面、第一侧壁和第二侧壁；分别自该第一侧壁侧和第二侧壁侧对Fin(21,22)进行掺杂元素的注入；热处理使得掺杂元素扩散至Fin(21,22)中并被激活，其中该电介质层(31,32)的厚度至少为1nm，掺杂元素的注入能量为2keV以下。通过不直接将掺杂元素注入至Fin(21,22)中，而是在Fin(21,22)的顶部和侧壁覆盖电介质层(31,32)来阻挡掺杂元素直接进入Fin(21,22)，并通过热处理来形成对Fin(21,22)的掺杂从而对顶部和侧壁的掺杂剂量进行控制，并保护Fin(21,22)不受离子的直接轰击。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊华，陈炯，金光耀，张劲，何川，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31