一种P型双面晶硅电池的制作方法技术

本发明专利技术公开一种P型双面晶硅电池的制作方法，先将硅片利用传统的制绒工艺进行双面制绒，再采用以固态杂质源为主要成分的浆料印刷工艺和链式水平扩散工艺，然后再进行双面镀膜、双面印刷正银电极和烧结。采用本发明专利技术的方法制备双面电池工艺较常规双面电池工艺流程简单，尤其是双面印刷工艺和链式扩散工艺，保证了边缘不同扩散源的不相互掺杂，同时减少了成品电池漏电率；链式扩散工艺较传统的管式扩散工艺扩散时间大大缩短，提高了生产效率。

Manufacturing method of P type double sided crystalline silicon cell

The invention discloses a manufacturing method of P type double crystal silicon solar cell, the first silicon using the texturing process of traditional double texturing, the solid impurity source as the main component of the paste printing process and the level of the chain diffusion process, and then the double sided printing brush plating, positive silver electrode and sintering. The preparation process of the present invention process than the conventional double double battery battery has the advantages of simple process, especially the double-sided printing process and chain diffusion process, ensure the different edge diffusion source of mutual doping, while reducing the battery leakage rate; chain diffusion tube technique is better than the traditional diffusion process of diffusion time is greatly shortened, improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种P型双面晶硅电池的制作方法
本专利技术涉及太阳能电池生产
，特别是涉及一种P型双面晶硅电池的制作方法。
技术介绍
为了提高电池转换效率，近几年来，新型的双面电池应运而生。常规P型双面电池的制备其双面扩散工艺繁琐，双面在进行第二次扩散的同时要保护第一次扩散的表面不受污染，需要更多的操作工艺才能取得预期的效果。由于工艺本身的局限性，晶硅双面太阳电池还不能大量应用于生产。中国专利申请号为“201310466393.0”公开了P型双面太阳电池的制作方法，但是此专利申请中的技术方案扩散工艺采用液态扩散源和管式扩散，生产效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种P型双面晶硅电池的制作方法，以解决上述现有技术存在的问题，使P型双面晶硅电池的制作工艺简单，适合大规模生产使用。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：本专利技术提供一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：A、硅片双面进行碱制绒；B、将含有固态杂质氧化硼的硼浆印刷到制绒后的硅片背面，硼浆距离硅片边缘0.5-1mm，硼浆的厚度0.1-0.5mm；C、将背面印刷好硼浆的硅片进行水平链式扩散；D、将水平链式扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：A、硅片双面进行碱制绒；B、将含有固态杂质氧化硼的硼浆印刷到制绒后的硅片背面，硼浆距离硅片边缘0.5‑1mm，硼浆的厚度0.1‑0.5 mm；C、将背面印刷好硼浆的硅片进行水平链式扩散；D、将水平链式扩散好的硅片背面用10%‑15%的氢氧化钾和1%‑5%的双氧水混合溶液进行碱清洗；E、将碱清洗后的硅片用10%‑15%的氢氟酸和10%‑15%的盐酸混合溶液进行酸清洗；F、将含有P2O5固态杂质的磷浆印刷到酸清洗后的硅片正面，磷浆距硅片边缘0.5‑1mm，磷浆的厚度0.1‑0.5 mm；G、将印刷好磷浆的硅片进行水平链式扩散；H、将水平链式...

【技术特征摘要】
1.一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：A、硅片双面进行碱制绒；B、将含有固态杂质氧化硼的硼浆印刷到制绒后的硅片背面，硼浆距离硅片边缘0.5-1mm，硼浆的厚度0.1-0.5mm；C、将背面印刷好硼浆的硅片进行水平链式扩散；D、将水平链式扩散好的硅片背面用10%-15%的氢氧化钾和1%-5%的双氧水混合溶液进行碱清洗；E、将碱清洗后的硅片用10%-15%的氢氟酸和10%-15%的盐酸混合溶液进行酸清洗；F、将含有P2O5固态杂质的磷浆印刷到酸清洗后的硅片正面，磷浆距硅片边缘0.5-1mm，磷浆的厚度0.1-0.5mm；G、将印刷好磷浆的硅片进行水平链式扩散；H、将水平链式扩散后的硅片用10%-15%的盐酸溶液进行酸清洗，然后再用去离子水清洗、烘干；I、对烘干后硅片双面镀氮化硅减反射膜；J、对硅片双面印刷正银电极；K、对硅片进行烧结。2.根据权利要求1所述的一种P型双面晶硅电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东，张大雨，马立元，杨雄磊，
申请(专利权)人：巨力新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13