p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的，本发明专利技术具有以下构成。即，p型杂质扩散组合物，其特征在于，包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，作为所述(C)有机溶剂，含有(C1)环状酯系溶剂。

P type impurity diffusion composition, method for manufacturing semiconductor element using the same, and solar cell and manufacturing method thereof

The object of the present invention is to provide a p type impurity diffusion composition which can improve the storage stability of a coating solution and can be uniformly diffused to a semiconductor substrate. In order to achieve the above purposes, the present invention has the following components. Namely, the P type impurity diffusion composition is characterized in that it contains (A) thirteenth group element compounds, (B) hydroxyl containing polymers and (C) organic solvents, as the (C) organic solvent, and contains (C1) cyclic ester solvent.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及用于使p型杂质在半导体衬底中扩散的p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
目前，在太阳能电池的制造中，在半导体衬底中形成p型或n型的杂质扩散层时，一直采用在衬底上形成扩散源后通过热扩散使杂质扩散至半导体衬底中的方法。在扩散源的形成中，正在研究CVD法、液态的杂质扩散组合物的溶液涂布法。其中，溶液涂布法由于不需要昂贵的设备、批量生产率也优异，故可合适地使用。在溶液涂布法中要形成p型杂质扩散层时，通常使用旋涂机、丝网印刷等将含有硼的涂布液涂布于半导体衬底表面上，并使其进行热扩散。现有的涂布液一直使用硼的溶解性优异的乙二醇系溶剂(例如乙二醇单甲醚)作为溶剂。但是，乙二醇系溶剂由于毒性高而成为环保管制的对象，故而难以再进行使用。因此，提出了使用丙二醇系溶剂作为乙二醇的替代溶剂并进一步添加非离子性表面活性剂而得到的涂布液(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9-181010号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，使用丙二醇本文档来自技高网...

【技术保护点】
p型杂质扩散组合物，其包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.25 JP 2015-034924;2015.09.17 JP 2015-183671.p型杂质扩散组合物，其包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂。2.如权利要求1所述的p型杂质扩散组合物，其中，(C)有机溶剂中的(C1)环状酯系溶剂的含量为70～100质量％。3.如权利要求1或2所述的p型杂质扩散组合物，其中，(C1)环状酯系溶剂为γ-丁内酯。4.如权利要求1～3中任一项所述的杂质扩散组合物，其中，(B)含羟基的高分子含有(B1)聚乙烯醇树脂及(B2)聚环氧乙烷，以质量比率计，(B1)聚乙烯醇树脂与(B2)聚环氧乙烷的含有比率为(B1):(B2)＝60:40～30:70。5.如权利要求1～4中任一项所述的杂质扩散组合物，所述杂质扩散组合物的粘度为3000～15000mPa·s，触变指数(2rpm/20rpm)为1.1～1.7。6.如权利要求1～5中任一项所述的p型杂质扩散组合物，其中，(A)第13族元素化合物含有选自氧化硼或硼酸中的至少一者。7.半导体元件的制造方法，其包括下述工序：将权利要求1～6中任一项所述的p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底上，从而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；和使p型杂质从所述p型杂质扩散组合物膜扩散至所述半导体衬底，从而在所述半导体衬底中形成p型杂质扩散层的工序。8.半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：池上由洋，村濑清一郎，稻叶智雄，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP