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一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底(1)和位于衬底(1)上平行间隔设置的Fin(21,22)，每根Fin(21,22)包括顶面、相对的第一侧壁和第二侧壁，掺杂方法包括：在每根Fin(21,22)的表面形成电介质层(31,32...
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