半导体器件制造技术

本申请涉及半导体器件。本发明专利技术的一个目的是提供一种能够简化修整操作的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括电源电路和修整电路。电源电路包括：参考电压生成电路，生成在修整操作时使用的多个参考电压；以及电压生成电路，生成由半导体存储器件使用的多个电源电压。半导体器件在修整操作时使用外部参考电压来调节特定参考电压，并且然后使用利用经调节的特定参考电压而生成的多个参考电压以及对应于参考电压的多个电源电压，确定与电源电压的调节量对应的修整代码。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用2018年2月5日提交的日本专利申请No.2018-018185的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及一种半导体器件，并且涉及例如包括调节电源电压的功能的半导体器件。
技术介绍
在包括闪存存储器的半导体器件中，需要生成用于重写半导体器件内部的闪存存储器的电源电压。然而，在某些情况下，这种电源电压根据要制造的每个半导体器件而变化，因此需要在制造每个半导体器件之后精细调节在每个半导体器件中生成的电源电压。这种技术被称为修整(trimming)技术。日本未审查专利申请公开No.2007-42838公开了一种技术，其中将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较，并且将比较结果反馈给修整代码生成电路，以生成与半导体器件内部生成的电源电压的调节量对应的修整代码。
技术实现思路
如上所述，在日本未审查专利申请公开No.2007-42838中公开的技术中，将从外部提供的参考电压和电荷泵电路的输出电压相互比较，以生成作为在半导体器件内部生成的电源电压的调节量的修整代码。然而，在使用日本未审查专利申请公开No.2007-42838中公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：逻辑电路，用于输出第一修整代码，电源电路，用于生成特定参考电压和多个电源电压，以及比较器，用于比较外部参考电压和所述特定参考电压，并且输出第一比较结果，其中，所述电源电路基于所述第一比较结果从所述特定参考电压生成多个参考电压，其中，所述多个参考电压包括第一参考电压，其中，所述多个电源电压包括对应于所述第一参考电压的第一电源电压，其中，所述比较器将所述多个参考电压中的每一个与对应于所述多个参考电压中的每一个的多个电源电压进行比较，其中，所述比较器将基于所述第一修整代码修整的第一电源电压与所述第一参考电压进行比较，并且输出第二比较结果，以及其中，所述逻辑电路基于所述第二结...

【技术特征摘要】
2018.02.05 JP 2018-0181851.一种半导体器件，包括：逻辑电路，用于输出第一修整代码，电源电路，用于生成特定参考电压和多个电源电压，以及比较器，用于比较外部参考电压和所述特定参考电压，并且输出第一比较结果，其中，所述电源电路基于所述第一比较结果从所述特定参考电压生成多个参考电压，其中，所述多个参考电压包括第一参考电压，其中，所述多个电源电压包括对应于所述第一参考电压的第一电源电压，其中，所述比较器将所述多个参考电压中的每一个与对应于所述多个参考电压中的每一个的多个电源电压进行比较，其中，所述比较器将基于所述第一修整代码修整的第一电源电压与所述第一参考电压进行比较，并且输出第二比较结果，以及其中，所述逻辑电路基于所述第二结果来调节所述第一修整代码。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述逻辑电路输出第二修整代码，其中，所述多个参考电压包括第二参考电压，其中，所述多个电源电压包括对应于所述第二参考电压的第二电源电压，其中，所述比较器将基于所述第二修整代码修整的第二电源电压与所述第二参考电压进行比较，并且输出第三比较结果，以及其中，所述逻辑电路基于所述第三结果来调节所述第二修整代码。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电源电路被配置为基于所述第一修整代码生成所述第一电源电压，其中，所述逻辑电路改变所述第一修整代码以改变所述第一电源电压，以及其中，所述第一电源电压与所述第一参考电压匹配时的所述第一修整代码被确定为经调节的修整代码。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述逻辑电路递增或递减所述第一修整代码以升高或降低所述第一电源电压。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：提供能够存储每个经调节的修整代码的寄存器，其中，所述电压生成电路使用在正常操作中存储在所述寄存器中的每个所述修整代码来生成在半导体存储器器件中使用的每个电源电压。6.一种半导体器件，包括：电源电路，包括：参考电流源，生成在修整操作时使用的参考电流；以及操作电流源，生成由半导体存储器件使用的操作电流；所述半导体存储器件，包括修整电路，所述修整电路在所述修整操作时修整所述操作电流；以及控制电路，控制所述半导体存储器件中的所述修整操作，其中，所述修整电路被配置为能够从所述半导体器件的外部输入外部参考电流，以及其中，在所述修整操作时，所述控制电路使用从所述半导体器件的外部供给的所述外部参考电流来调节所述参考电流，并且然后使用经调节的所述参考电流来确定与所述半导体存储器件使用的所述操作电流源的调节量相对应的修整代码。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述电源电路包括电流源型的第一参考电流源和电流汇型的第二参考电流源作为所述参考电流源，并且包括电流源型的第一操作电流源和电流汇型的第二操作电流源作为所述操作电流源，以及其中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈山昌太，神田明彦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP