一种上电选参考电流的方法技术

本发明专利技术公开了一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性。

A method of electrically selecting reference current

The invention discloses a method for electrically selecting reference current, which includes the following steps: program operation and erase operation on two wordlines at the edge of storage array; read bitline currents connected on the two wordlines in turn when electrifying; compare the bitline currents by a sensitive amplifier, and then output the comparison results to a logic control circuit; The control circuit compares the comparison results with the reference values in the reference current array to get the reference current with the least errors, and uses the current with different temperature coefficients to improve the reliability of reading.

【技术实现步骤摘要】
一种上电选参考电流的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是一种上电选参考电流的方法。
技术介绍
目前，flash存储单元的电子迁移率与温度相关，闪存的读取往往需要参考电流，采用固定温度系数的电流不能保证闪存信息正确读取，当闪存温度变化很大的时候，固定温度的参考电流会与实际情况存在偏差，导致闪存中的存储的信息无法正确读取，信息读取的正确率低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种上电选参考电流的方法，达到利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性的目的。本专利技术解决其问题所采用的技术方案是：本专利技术的提供了一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流。进一步，所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述program操作和所述erase操作的工作电压比阈值电压低。进一步，所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述步骤在存储阵列的wordline边缘至少对一条wordline进行program操作和至少对一条wordline进行erase操作。进一步，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流表现为计算错误最少的参考电流时需依次对比所有的参考电流阵列的参考电流。进一步，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列单靠中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流表现为，所述参考电流阵列存储所述program操作和所述erase操作的工作电压下不同温度系数的参考电流值。一种应用上电参考电流方法的存储设备，包括以下单元：存储阵列单元，用于对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；电流读取单元，上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；放大比较单元，用于通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制单元，用于逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流。进一步，所述存储阵列单元，包括横向设置的wordline、纵向设置的bitline；上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：根据本专利技术提供的一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的参考电流来提高读取的可靠性。附图说明下面结合附图和实例对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术一个实施例所提供的一种上电选参考电流的方法的流程图。具体实施方式目前，flash存储单元的电子迁移率与温度相关，闪存的读取往往需要参考电流，采用固定温度系数的电流不能保证闪存信息正确读取，当闪存温度变化很大的时候，固定温度的参考电流会与实际情况存在偏差，导致闪存中的存储的信息无法正确读取，信息读取的正确率低。利用一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的参考电流来提高读取的可靠性，解决因为温度导致闪存中的存储的信息无法正确读取的问题。下面结合附图，对本专利技术实施例作进一步阐述。参照图1，本专利技术提供一种上电选参考电流的方法，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流，利用上电时选不同温度系数的电流来提高读取的可靠性。进一步地，基于上述实施例，本专利技术的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述program操作和所述erase操作的工作电压比阈值电压低。进一步，基于上述实施例，本专利技术的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述步骤在存储阵列的wordline边缘至少对一条wordline进行program操作和至少对一条wordline进行erase操作。进一步，基于上述实施例，本专利技术的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流表现为计算错误最少的参考电流时需依次对比所有的参考电流阵列的参考电流。进一步，基于上述实施例，本专利技术的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流表现为，所述参考电流阵列存储所述program操作和所述erase操作的工作电压下不同温度系数的电流值。进一步，基于上述实施例，本专利技术的另一实施例还提供一种上电选参考电流的方法，在电路中设置温度系数不同、绝对值大小不同的参考电流阵列，所述存储阵列单元中在横向设置wordline、纵向设置bitline，在存储阵列单元的边缘放置二条wordline，对该2条wordline分别进行Program操作和erase操作，所述Program操作和所述erase操作可以通过控制具体的操作时间和操作电压来控制，所述program操作和所述erase操作的工作电压比阈值电压低。在上电时，依次读取Program操作wordline和erase操作wordline，通过放大比较单元中的灵敏放大器比较输出结果，并传输到逻辑控制电路，通过逻辑控制电路计算出的错误的个数，依次遍历所有的参考电流阵列单元中的参考电流，再利用逻辑控制电路找出错误数最少的参考电流。本专利技术提供一种应用上电参考电流方法的存储设备，包括以下单元：存储阵列单元，用于对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；电流读取单元，用于上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；放大比较单元，用于通过灵敏放大器对所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种上电选参考电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流。

【技术特征摘要】
1.一种上电选参考电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作；上电时依次读取所述两条wordline上连接着的bitline的电流；通过灵敏放大器对所述bitline的电流进行比较，然后将比较结果输出到逻辑控制电路；逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵列中的参考值进行比对，得出错误最少的参考电流。2.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述program操作和所述erase操作的工作电压比阈值电压低。3.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤对存储阵列边缘的两条wordline分别进行program操作和erase操作表现为所述步骤在存储阵列的wordline边缘至少对一条wordline进行program操作和至少对一条wordline进行erase操作。4.根据权利要求1所述的一种上电选参考电流的方法，其特征在于：所述步骤逻辑控制电路将比较结果与参考电流阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，张登军，查小芳，赵士钰，刘大海，杨小龙，安友伟，李迪，逯钊琦，
申请(专利权)人：珠海博雅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44