用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置、方法和系统制造方法及图纸

本申请案涉及用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置、方法和系统。本文揭示用于电压降级感知NAND阵列管理的装置和技术。监视到NAND装置的电压以检测电压事件。以所述电压事件修改电压事件的历史。从所述电压事件的历史观察电压条件。随后响应于所述电压条件修改所述NAND装置中的NAND阵列的操作参数。

NAND Devices, Methods and Systems for Voltage Drop Sensing NAND Array Management

This application relates to a NAND device, method and system for voltage drop sensing NAND array management. This paper reveals the devices and techniques for voltage drop sensing NAND array management. The voltage of the NAND device is monitored to detect voltage events. The history of the voltage event is modified by the voltage event. The voltage conditions are observed from the history of the voltage events. The operating parameters of the NAND array in the NAND device are then modified in response to the voltage conditions.

【技术实现步骤摘要】
用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置、方法和系统
本专利技术大体上涉及存储器装置。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可当不被供电时保持所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)或3DXPointTM存储器等等。快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两个常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，以每一者的基本存储器单元配置所布置的逻辑形式来命名。存储器阵列的存储器单元通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置，所述NAND装置包括：NAND阵列；以及控制器，其用以：监视到所述NAND装置的电压以检测电压事件；以所述电压事件修改电压事件的历史；从所述电压事件的历史观察电压条件；以及响应于所述电压条件修改所述NAND阵列的操作参数。

【技术特征摘要】
2017.08.31 US 15/691,8131.一种用于电压降级感知NAND阵列管理的NAND装置，所述NAND装置包括：NAND阵列；以及控制器，其用以：监视到所述NAND装置的电压以检测电压事件；以所述电压事件修改电压事件的历史；从所述电压事件的历史观察电压条件；以及响应于所述电压条件修改所述NAND阵列的操作参数。2.根据权利要求1所述的NAND装置，其中为了修改所述操作参数，所述控制器改变所述NAND阵列的错误处置程序。3.根据权利要求2所述的NAND装置，其中所述错误处置程序是读取重试程序。4.根据权利要求2所述的NAND装置，其中所述错误处置程序是编程擦除程序。5.根据权利要求2所述的NAND装置，其中所述错误处置程序是不良块标记程序。6.根据权利要求5所述的NAND装置，其中所述不良块标记程序增加在所述电压条件期间识别不良块之前允许的错误计数。7.根据权利要求1所述的NAND装置，其中为了修改所述操作参数，所述控制器改变写入程序。8.根据权利要求7所述的NAND装置，其中为了改变所述写入程序，所述控制器维持写入缓冲器中的数据超出所述数据传送到所述NAND阵列时的点。9.根据权利要求8所述的NAND装置，其中所述数据维持于所述写入缓冲器中直到从所述NAND阵列对所述数据的成功读取完成。10.根据权利要求1所述的NAND装置，其中所述操作参数是对应于所述NAND装置的操作安全电平的操作参数的集合的部分，其中所述操作安全电平是操作安全电平的有序集合中的一个，所述操作安全电平的集合是通过以速度交换数据完整性的对应操作参数来排序。11.根据权利要求10所述的NAND装置，其中为了响应于所述电压条件修改所述操作参数，所述控制器基于所述电压条件是供应到所述NAND装置的电压的劣化还是改善而从所述操作安全电平的集合的第一成员递增或递减。12.根据权利要求1所述的NAND装置，其中为了以所述电压事件修改所述电压事件的历史，所述控制器递增电压事件的计数器。13.根据权利要求12所述的NAND装置，其中为了观察所述电压条件，所述控制器使用所述计数器测...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·琼，H·桑吉迪，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US