The invention relates to a system comprising a memory unit and a memory controller arranged in a block. The memory controller receives a read command to read the first block. The first block may be associated with the first read count and the first read threshold. When the first block is read, the first read count increases, and when the first read count reaches the read threshold, the read recovery test is executed. After power off or read recovery operation, the first read count is set to zero. When the first reading count is zero, the adaptive reading threshold is selected based on the number of bit errors. Further, in the read recovery test, the number of bit errors is tested to determine whether the garbage collection operation is performed for the adaptive error threshold.
【技术实现步骤摘要】
用于3-DNAND存储器的具有自适应阈值的读取干扰检测和恢复相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月31日提交的申请号为62/553,013、标题为“用于3DNAND存储器(storage)的具有自适应阈值的读取干扰算法”的临时申请的优先权,其已转让给本申请的受让人并且通过引用整体明确地并入本文。
本专利技术总体涉及一种用于存储装置的方法和设备,并且具体地,涉及提高非易失性存储器装置的性能。更特别地,本专利技术的实施例提供一种非易失性存储器装置的改进方法。
技术介绍
固态存储器被普遍地用在包括诸如消费电子装置(例如,蜂窝电话、照相机、计算机等)的各种电子系统中和企业计算系统(例如,硬盘驱动器、随机存取存储器(RAM)等)中。由于延迟、吞吐量、抗冲击性、封装和其它考虑因素,固态存储器已经比机械存储器存储技术或其它存储器存储技术更受欢迎。在这些非易失性存储器装置中,NAND闪速存储器装置由于高度集成导致的低制造成本而广受欢迎。存储在固态存储器装置中的数据可能随着时间而劣化。例如,读取干扰噪声是一种在读取固态存储装置(例如,NAND闪存)的过程期间被引入的噪声。在读取期间,被选择的块中的所有单元(除了正被读取的单元之外)的控制栅极被偏置到超过可以被写入到该块中的任何单元的最大电压的电压。这样做时,这些单元被置于通过状态中,在通过状态下这些单元起到短路作用,从而仅隔离了正被读取的单元。然而,这种偏置的不期望的副作用是将额外的电子施加到了这些单元的浮栅。这种无意和额外的电荷会改变单元电压并被称为读取干扰。改进的读取干扰检测和恢复技术将被需要。
技术实现思路
在提供来 ...
【技术保护点】
1.一种非易失性数据存储装置,其包括:多个存储器单元,其被布置在块中;以及存储器控制器,其联接到所述多个存储器单元以用于控制所述多个存储器单元中的数据写入和读取;其中所述存储器控制器被配置为:接收读取命令以读取第一块,所述第一块与第一读取计数和第一读取阈值相关联,其中所述第一读取计数表示已经执行的所述第一块的读取操作次数,并且所述第一读取阈值表示触发读取测试操作的读取操作次数;将所述第一读取阈值设置为目标读取阈值;确定所述第一读取计数是否等于零;响应于确定所述第一读取计数等于零,选择第二读取阈值作为所述目标读取阈值,其中选择所述第二读取阈值包括:执行测试读取以确定与多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;基于所述位错误的数量来选择所述第二读取阈值;以及将所述第二读取阈值设置为所述目标读取阈值;执行所述第一块的读取操作;递增所述第一读取计数;确定所述第一读取计数是否超过所述目标读取阈值;响应于确定所述第一读取计数等于所述目标读取阈值的倍数:执行测试读取操作以确定与所述多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;确定所述位错误的数量是否超过错误阈值, ...
【技术特征摘要】
2017.08.31 US 62/553,013;2017.12.07 US 15/835,2461.一种非易失性数据存储装置,其包括:多个存储器单元,其被布置在块中;以及存储器控制器,其联接到所述多个存储器单元以用于控制所述多个存储器单元中的数据写入和读取;其中所述存储器控制器被配置为:接收读取命令以读取第一块,所述第一块与第一读取计数和第一读取阈值相关联,其中所述第一读取计数表示已经执行的所述第一块的读取操作次数,并且所述第一读取阈值表示触发读取测试操作的读取操作次数;将所述第一读取阈值设置为目标读取阈值;确定所述第一读取计数是否等于零;响应于确定所述第一读取计数等于零,选择第二读取阈值作为所述目标读取阈值,其中选择所述第二读取阈值包括:执行测试读取以确定与多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;基于所述位错误的数量来选择所述第二读取阈值;以及将所述第二读取阈值设置为所述目标读取阈值;执行所述第一块的读取操作;递增所述第一读取计数;确定所述第一读取计数是否超过所述目标读取阈值;响应于确定所述第一读取计数等于所述目标读取阈值的倍数:执行测试读取操作以确定与所述多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;确定所述位错误的数量是否超过错误阈值,基于所述位错误的数量来选择所述错误阈值;响应于确定所述位错误的数量超过所述错误阈值:在与所述第一块相关联的所述多个块中执行读取回收操作;以及清除与所述第一块相关联的所述第一读取计数。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取回收操作包括将有效值从所述多个存储器单元复制到另外的多个存储器单元。3.根据权利要求1所述的装置,其中所述错误阈值是所述装置的错误校正能力的百分比,基于所述位错误的数量来选择所述百分比。4.根据权利要求1所述的装置,其中所述错误阈值是所述装置的错误校正能力的百分比,基于所述目标读取阈值来选择所述百分比。5.根据权利要求1所述的装置,其中执行测试读取以确定位错误的数量包括:执行与所述第一块相关联的扩展块的读取操作;执行错误校正解码以确定所述扩展块中的每个块中的位错误的数量;以及确定所述扩展块中的块之中的最大的位错误的数量。6.根据权利要求5所述的装置,其中所述扩展块包括由于读取所述第一块而受到最大影响的相邻块。7.根据权利要求6所述的装置,其中在3-DNAND存储系统中,所述扩展块进一步包括与处于比所述第一块更高层的字线相关联的页面以及与处于比所述第一块更低层的字线相关联的页面。8.根据权利要求1所述的装置,其中在断电之后所述第一读取计数被设置为0。9.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储器控制器被配置为基于所述位错误的数量从查找表中选择所述第二读取阈值。10.根据权利要求9所述的装置,其中所述查找表包括用于逐渐增加的位错误的数量的逐渐减少的第二读取阈值。11.一种系统,其包括:多个存储器单元,其被布置在块中;以及存储器控制器,其联接到所述多个存储器单元以用于控制所述多个存储器单元中的数据写入和读取;其中所述存储器控制器被配置为:接收读取命令以读取第一块,所述第一块与第一读取计数和第一读取阈值相关联,其中所述第一读取计数表示已经执行的所述第一块的读取操作次数,并且所述第一读取阈值表示...
【专利技术属性】
技术研发人员:内维·库马尔,哈曼·巴蒂亚,张帆,熊晨荣,蔡宇,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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