半导体存储器装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体存储器装置及其控制方法。为了延长半导体存储器装置的寿命而无需执行复杂的控制。根据一个实施例的半导体存储器装置配备有可彼此互补地操作的存储体A和存储体B以及选择存储体A和B中的任一个的存储体选择电路。每次发出指令擦除存储体A和B中的任一个中的数据的擦除命令时，存储体选择电路交替地切换待选择的存储体。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其控制方法相关申请的交叉引用于2017年8月2日提交的日本专利申请No.2017-149844的公开，包括说明书、附图和摘要，整体通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的控制方法，例如，涉及一种非易失性半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的控制方法。
技术介绍
由于非易失性半导体存储器装置具有即使停止供电，数据也不被擦除的优点，但是在存储器单元方面由于写入操作和擦除操作的重复而劣化，所以重写的次数存在限制。在专利文献1中公开了一种用于延长非易失性半导体存储器装置的寿命的技术。在专利文献1中所公开的技术中，在存储器垫内设置主存储器区域和备用存储器区域。当对主存储器区域内的各个存储器单元的数据重写次数达到极限时，代替主存储器区域中的存储器单元，执行对备用存储器区域中的各个存储器单元的数据重写，从而延长半导体存储器装置的寿命。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本未审专利公布No.2002-208287
技术实现思路
如上所述，专利文献1中所公开的技术在对主存储器区域中的存储器单元的数据重写次数已达到极限时代替主存储器区域中的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，包括：能彼此互补地操作的第一存储体和第二存储体；以及存储体选择电路，其选择所述第一存储体和所述第二存储体中的任一个，其中，每次发出用于指示擦除所述第一存储体和所述第二存储体中的任一个存储体中的数据的擦除命令时，所述存储体选择电路交替地切换待选择的存储体。

【技术特征摘要】
2017.08.02 JP 2017-1498441.一种半导体存储器装置，包括：能彼此互补地操作的第一存储体和第二存储体；以及存储体选择电路，其选择所述第一存储体和所述第二存储体中的任一个，其中，每次发出用于指示擦除所述第一存储体和所述第二存储体中的任一个存储体中的数据的擦除命令时，所述存储体选择电路交替地切换待选择的存储体。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一存储体和所述第二存储体被分别配备有与数据的擦除单元对应的多个块区域，其中，所述第一存储体的所述块区域和所述第二存储体的所述块区域被设置为彼此对应，并且其中，所述存储体选择电路被配置为选择彼此对应的所述第一存储体的所述块区域和所述第二存储体的所述块区域中的任一个块区域，并且每次发出所述擦除命令时交替地切换待选择的块区域。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一存储体的每个所述块区域包括多个存储器单元，其中，所述第二存储体的每个所述块区域包括多个存储器单元，并且其中，所述第一存储体的所述存储器单元和所述第二存储体的所述存储器单元被配置为彼此对应，并且其中，当从外部访问时，所述第一存储体的所述存储器单元和所述第二存储体的所述存储器单元被配置为能使用相同的地址被访问。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括标志区域，所述标志区域中存储有指示待选择的存储体的标志数据，其中，所述存储体选择电路根据存储在所述标志区域中的所述标志数据来选择所述第一存储体和所述第二存储体中的任一个。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，还包括标志重写电路，所述标志重写电路对存储在所述标志区域中的标志数据进行重写，其中，每次发出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田诚二，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP