只读存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种只读存储器，其结构包含多条往第一方向延伸的位线、多条与该位线平行的来源线、以及多条往与第一方向垂直的第二方向延伸的字符线，其中每两个存储器单元共用一个主动区域并经由一共同的来源线接触结构电耦接至其中一来源线。

【技术实现步骤摘要】
只读存储器
本专利技术涉及一种只读存储器(readonlymemory,ROM)，更特定言之，其只读存储器中每两个存储器单元共用一条共同的来源线以及一主动区域。
技术介绍
只读存储器(readonlymemory,ROM)是一种能永久保存内容与数据的存储器，其一般采用多个位1的存储器单元与多个位0的存储器单元的设计，其中位1的存储器单元设定成用来存储位为1的数据，而位0的存储器单元设定成用来存储位为0的数据。如要读取一个只读存储器中的存储器单元，存储器单元必须被施加电压。如果该存储器单元是一个位1存储器单元，该存储器单元会产生第一回应信号。如果该存储器单元是一个位0存储器单元，该存储器单元会产生与该第一回应信号不同的第二回应信号。如此，根据对于所施加电压的回应，该存储器单元可被判别为是位1存储器单元还是位0存储器单元，并依此达到存储0或1数据的诉求。随着电子装置的总线宽度与速度的提升，用以驱动这些总线的元件必须要能容受电力端(VDD)与接地端(VSS)连结之间更大的电流突波。这些电流突波会流经元件的电源连接处，造成元件电压在通电与接地态的参考水平之间震荡，这样的现象在业界通称为接地反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种只读存储器，包含：多条往第一方向延伸的位线；多条与该多条位线平行的来源线；以及多条往与该第一方向垂直的第二方向延伸的字符线；其中每两个存储器单元共用一个主动区域，并经由一共同来源线接触结构电耦接至其中一该多条来源线。

【技术特征摘要】
1.一种只读存储器，包含：多条往第一方向延伸的位线；多条与该多条位线平行的来源线；以及多条往与该第一方向垂直的第二方向延伸的字符线；其中每两个存储器单元共用一个主动区域，并经由一共同来源线接触结构电耦接至其中一该多条来源线。2.如权利要求1所述的只读存储器，其中该多条位线与该多条来源线往该第二方向呈隔行交错设置。3.如权利要求1所述的只读存储器，其中每个该主动区域被两条该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕鑫邦，许齐修，郑仲皓，莫亚楠，蔡忠政，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71