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只读存储器制造技术
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文档序号:20450104
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本发明公开了一种只读存储器,其结构包含多条往第一方向延伸的位线、多条与该位线平行的来源线、以及多条往与第一方向垂直的第二方向延伸的字符线,其中每两个存储器单元共用一个主动区域并经由一共同的来源线接触结构电耦接至其中一来源线。...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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