存储单元及其构成的存储阵列和OTP制造技术

本发明专利技术公开了一种存储单元，该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。本发明专利技术还公开了一种由上述存储单元组成的存储阵列。本发明专利技术还公开了一种OTP，包括：供电电路连接行地址译码电路，存储单元阵列分别连接行地址译码电路、列地址译码电路和高速电流型放大电路；供电电路连接编程使能信号端，行地址译码电路连接读信号端，高速电流型放大电路连接该只读存储器输出端。本发明专利技术的存储阵列能节省了50％的阵列面积和33.3％的绕线复杂度。本发明专利技术的OTP即能减小版图面积又能增大设计余量。

【技术实现步骤摘要】
存储单元及其构成的存储阵列和OTP
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于一次性可编程只读存储器的存储单元。本专利技术还涉及一种由上述存储单元组成的存储阵列。以及，一种OTP(一次性可编程只读存储器)。
技术介绍
在现今物联网的快速发展趋势下，万物互联已经初见端倪。从共享单车，到无人驾驶；从智能手表，到智能家居；设备会和数以百亿，甚至千亿计的其他设备互联。海量的数据将会被存储在存储芯片之中。因此，在物联网时代，存储芯片扮演着非常重要的角色。非挥发性存储芯片NVM(Non-VolatileMemory)保证了设备断电之后还能继续存储数据，并且受恶劣环境的影响很小，因此有着广泛的应用。OTP(OneTimeProgrammable)Memory作为NVM中重要的一种类型，有着存储设备固件，自我修复芯片和加密芯片的应用。OTP分为Fuse和Anti-fuse两种类型。Fuse为可编程电熔丝，通过在Fuse两端加一定的电压或者电流，使Fuse产生电迁移或者热断裂效应，改变Fuse的阻值，从而实现对于Fuse的编程。而Anti-fuse为反熔丝，一般由各工艺平台的MOS管组成，在其G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于：该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于：该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。2.如权利要求1所述存储单元，其特征在于：所述预设电压大于等于该NMOS击穿电压。3.如权利要求1所述存储单元，其特征在于：测量NMOS栅极到漏极电流，通过电流值判断该存储单元是否被编程。4.如权利要求2所述存储单元，其特征在于：若测得NMOS栅极到漏极电流值小于第一阈值则判断该存储单元未被编程，若测得NMOS栅极到漏极电流值为大于第二阈值判断该存储单元已被编程。5.如权利要求3所述存储单元，其特征在于：第一阈值为10纳安-100纳安，第二阈值为0.1毫安-1毫安。6.一种有权利要求1-5任意一项所述存储单元组成的存储阵列，其特征在于：由n×m个所述存储单元组成n×m的存储阵列，n和m均为自然数。7.一种OTP，其特征在于，包括：供电电路、行地址译码电路、列地址译码电路、存储单元阵列和电流型放大电路；供电电路连接行地址译码电路，存储单元阵列分别连接行地址译码电...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚政，金建明，顾明，权力，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31