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本发明公开了一种存储单元，该存储单元由一个NMOS组成；编程模式，该NMOS漏极接0V电压，NMOS栅极连接预设电压；读取模式，该NMOS漏极连接0V电压，NMOS栅极接电路电压。本发明还公开了一种由上述存储单元组成的存储阵列。本发明还公开...
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