存储器存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器存储装置，包括多条字元线以及多条位元线、存储器晶胞阵列以及存储器控制器。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞用以存储数据。各存储器晶胞耦接至对应的字元线以及位元线。存储器控制器用以对存储器晶胞阵列进行读取操作。在存储器控制器致能字元线的同时，存储器控制器对位元线的一部分或全部进行预充电操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器存储装置
本专利技术涉及一种电子装置，尤其涉及一种存储器存储装置。
技术介绍
存储器存储装置，例如非挥发性存储器，其与存储器控制器之间的信号传输介面主要是以时脉为基础(clock-based)来进行信号传递的操作。因此，利用时脉的依赖性(clockdependency)存储器存储装置可与存储器控制器之间信号传递操作更加协调。并且，为了降低成本，晶片封装的脚位数较少(lesspincount)，存储器存储装置也需要以时脉为基础与控制器进行信号传递操作。随着存储器存储装置的发展与使用者需求，时脉速度(clockrate)也愈来愈快。然而，存储器存储装置的读取速度若无法相对地提升，将会使得时脉速度的发展遭遇瓶颈。在现有技术中，为了完成读取操作必须花费较多的时间来对位元线进行预充电操作，因此，读取速度无法提升，从而限制了时脉速度。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器存储装置以及存储器存储装置的操作方法，其读取速度快，可操作在较高的时脉速度。本专利技术的存储器存储装置包括多条字元线、多条位元线、存储器晶胞阵列(cellarray)以及存储器控制器。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：多条字元线以及多条位元线；存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据，其中各所述存储器晶胞耦接至对应的字元线以及位元线；以及存储器控制器，用以对所述存储器晶胞阵列进行读取操作，其中在所述存储器控制器致能所述多个字元线的同时，所述存储器控制器对所述多个位元线的一部分或全部的位元线进行预充电操作。

【技术特征摘要】
1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：多条字元线以及多条位元线；存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据，其中各所述存储器晶胞耦接至对应的字元线以及位元线；以及存储器控制器，用以对所述存储器晶胞阵列进行读取操作，其中在所述存储器控制器致能所述多个字元线的同时，所述存储器控制器对所述多个位元线的一部分或全部的位元线进行预充电操作。2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，其中所述存储器控制器接收并解码区段信号，以及在所述存储器控制器对所述区段信号进行解码的同时，所述存储器控制器对所述多个位元线的一部分或全部的位元线进行所述预充电操作。3.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，还包括多条数据线，耦接至所述多个位元线，其中所述多个位元线包括多条区域位元线以及多条全域位元线，以及所述多个数据线包括多条区域数据线以及多条全域数据线，并且在所述存储器控制器对所述多个位元线的一部分位元线进行所述预充电操作时，所述多个全域位元线、所述多个区域数据线以及所述多个全域数据线被预充电。4.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，还包括多条数据线，耦接至所述多个位元线，其中所述多个位元线包括多条区域位元线以及多条全域位元线，以及所述多个数据线包括多条区域数据线以及多条全域数据线，并且在所述存储器控制器对所述多个位元线的全部位元线进行所述预充电操作时，所述多个区域数据线、所述多个全域位元线、所述多个区域数据线以及所述多个全域数据线被预充电。5.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，其中在所述存储器控制器致能所述多个字元线之后，所述多个位元线当中未被选择的位元线被放电。6.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，其中在所述存储器控制器致能所述多个字元线之后，所述多个位元线当中被选择的位元线的电压在一感测期间之前被保持...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文乔，柳弼相，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71