一种自适应的充放电电路、方法以及设备技术

本发明专利技术实施例公开了一种自适应的充放电电路，所述电路包括：检测单元和充放电控制单元，其中：所述检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，所述检测单元的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述充放电控制单元的输出端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接；所述检测单元，用于对每一所述闪存单元对应的电容进行充放电时，对每一所述闪存单元对应的电容的电压进行监测，并将监测结果发送至所述充放电控制单元；所述充放电控制单元，用于接收所述检测单元发送的监测结果，并基于所述监测结果控制每一所述闪存单元对应的电容的充放电操作。本发明专利技术的实施例同时还公开了一种自适应的充放电方法和设备。

An Adaptive Charging and Discharging Circuit, Method and Equipment

The embodiment of the invention discloses an adaptive charging and discharging circuit, which comprises a detection unit and a charge and discharging control unit, in which the input end of the detection unit is connected with the output end of the capacitor corresponding to each flash unit of the storage array, the output end of the detection unit is connected with the input end of the charge and discharging control unit, and the transmission of the charge and discharging control unit. The output end is connected with the input end of the capacitor corresponding to each flash memory unit; the detection unit is used to monitor the voltage of the capacitor corresponding to each flash memory unit when charging and discharging the capacitor corresponding to each flash memory unit, and send the monitoring results to the charge and discharging control unit; and the charge and discharge control unit is used to receive the transmission of the detection unit. The charging and discharging operation of capacitors corresponding to each flash memory unit is controlled based on the monitoring results. The embodiment of the present invention also discloses an adaptive charging and discharging method and device.

【技术实现步骤摘要】
一种自适应的充放电电路、方法以及设备
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种自适应的充放电电路、方法以及设备。
技术介绍
在NAND闪存中，一般会对NAND闪存单元对应的位线的电容需要进行充放电的控制；相对技术中，对NAND闪存单元对应的位线的电容的充电操作通常是采用固定预充电时间进行控制的，对NAND闪存单元对应的位线的电容的放电操作通常是采用固定放电开始时间进行控制的。但是，NAND闪存单元对应的位线的工艺、电源和温度等会存在偏差；因此，受工艺、提供的电源和温度等的影响，相对技术中位线的电容的充放电方法会存在充电不足或者放电过量，导致输出错误数据的缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种自适应的充放电电路、方法以及设备，解决了相对技术中位线的电容的充放电方法会存在充电不足或者放电过量的问题，避免出现输出错误的数据，提高了输出的数据的准确性和工作效率。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种自适应的充放电电路，所述电路包括：检测单元和充放电控制单元；其中：所述检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，所述检测单元的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述充放电控制单元的输出端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接；所述检测单元，用于对每一所述闪存单元对应的电容进行充放电时，对每一所述闪存单元对应的电容的电压进行监测，并将监测结果发送至所述充放电控制单元；所述充放电控制单元，用于接收所述检测单元发送的监测结果，并基于所述监测结果控制每一所述闪存单元对应的电容的充放电操作。上述方案中，所述电路还包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：所述第一MOS管的第一极与电源连接，所述第一MOS管的第二极与所述每一闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第一MOS管的第三极与所述充放电控制单元的输出端连接；所述第二MOS管的第一极接地，所述第二MOS管的第二极与每一闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第二MOS管的第三极与所述充放电控制单元的输出端连接。上述方案中，所述检测单元包括：第一检测器，其中：所述第一检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第一检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接。上述方案中，所述充放电控制单元包括：第一控制器和第二控制器，其中：所述第一控制器的输入端与所述第一检测器的输出端连接，所述第一控制器的输出端与所述第一MOS管的第三极连接；所述第二控制器的输入端与所述第一检测器的输出端连接，所述第二控制器的输出端与所述第二MOS管的第三极连接。上述方案中，所述检测单元包括：第二检测器和第三检测器，其中：所述第二检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第二检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述第三检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第三检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接。上述方案中，所述第三检测器的使能端与所述充放电控制单元的输出端连接；所述第二检测器的使能端连接有外接使能信号。上述方案中，所述充放电控制单元包括：第一控制器和第二控制器，其中：所述第一控制器的输入端与所述第二检测器的输出端连接，所述第一控制器的输出端与所述第一MOS管的第三极连接；所述第二控制器的输入端与所述第三检测器的输出端连接，所述第二控制器的输出端与所述第二MOS管的第三极连接。上述方案中，所述第一控制器的输出端与所述第三检测器的使能端连接。上述方案中，所述第一MOS管的类型与所述第二MOS管的类型不同。一种自适应的充放电设备，所述设备包括：控制器和处理器，其中：所述控制器，用于给存储阵列的每一闪存单元对应的电容预充电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值；所述处理器，用于基于每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值与第一预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的充电操作。上述方案中，所述处理器还用于：若每一所述闪存单元对应的电容中存在第一电压值大于第一预设阈值电压的电容，控制对第一电压值大于所述第一预设阈值电压的电容停止充电。上述方案中，所述处理器还用于：输出用于指示对每一所述闪存单元对应的电容的放电操作进行监控的监控指令。上述方案中，所述控制器，还用于给每一所述闪存单元对应的电容放电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值；所述处理器，还用于基于每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值与第二预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的放电操作。上述方案中，所述处理器还用于：若每一所述闪存单元对应的电容中存在第二电压值小于第二预设阈值电压的电容，控制对第二电压值小于所述第二预设阈值电压的电容停止放电，并输出用于指示第二电压值小于所述第二预设阈值电压的电容放电完成的指示信息。上述方案中，所述控制器还用于：给每一所述闪存单元对应的电容放电后，基于所述监控指令监控每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值。一种自适应的充放电方法，所述方法包括：给存储阵列的每一闪存单元对应的电容预充电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值；基于每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值与第一预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的充电操作。上述方案中，所述基于每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值与第一预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的充电操作，包括：若每一所述闪存单元对应的电容中存在第一电压值大于第一预设阈值电压的电容，控制对第一电压值大于所述第一预设阈值电压的电容停止充电。上述方案中，所述若每一所述闪存单元对应的电容中存在第一电压值大于第一预设阈值电压的电容，控制对第一电压值小于所述第一预设阈值电压的电容停止充电之后，还包括：输出用于指示对每一所述闪存单元对应的电容的放电操作进行监控的监控指令。上述方案中，所述方法还包括：给每一所述闪存单元对应的电容放电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值；基于每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值与第二预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的放电操作。上述方案中，所述基于每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值与第二预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的放电操作，包括：若每一所述闪存单元对应的电容中存在第二电压值小于第二预设阈值电压的电容，控制对第二电压值小于所述第二预设阈值电压的电容停止放电，并输出用于指示第二电压值小于所述第二预设阈值电压的电容放电完成的指示信息。上述方案中，所述给每一所述闪存单元对应的电容放电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值，包括：给每一所述闪存单元对应的电容放电后，基于所述监控指令监控每一所述闪存单元对应的电容的第二电压值。本专利技术的实施例所提供的自适应的充放电电路、方法以及设备，该电路包括检测单元和充放电控制单元；检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，检测单元的输出端与充放电控制单元的输入端连接；充放电控制单元的输出端与每一闪存单元对应的电容的输入端连接，如此，检测单元检测到位线的电容的充放电情况后发送至充放电控制单元，进而充放电控制单元可以控制对位线的电容的充放电情况，从而解决了相对技术中位线的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自适应的充放电电路，其特征在于，所述电路包括：检测单元和充放电控制单元，其中：所述检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，所述检测单元的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述充放电控制单元的输出端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接；所述检测单元，用于对每一所述闪存单元对应的电容进行充放电时，对每一所述闪存单元对应的电容的电压进行监测，并将监测结果发送至所述充放电控制单元；所述充放电控制单元，用于接收所述检测单元发送的监测结果，并基于所述监测结果控制每一所述闪存单元对应的电容的充放电操作。

【技术特征摘要】
1.一种自适应的充放电电路，其特征在于，所述电路包括：检测单元和充放电控制单元，其中：所述检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，所述检测单元的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述充放电控制单元的输出端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接；所述检测单元，用于对每一所述闪存单元对应的电容进行充放电时，对每一所述闪存单元对应的电容的电压进行监测，并将监测结果发送至所述充放电控制单元；所述充放电控制单元，用于接收所述检测单元发送的监测结果，并基于所述监测结果控制每一所述闪存单元对应的电容的充放电操作。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：所述第一MOS管的第一极与所述电源连接，所述第一MOS管的第二极与所述每一闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第一MOS管的第三极与所述充放电控制单元的输出端连接；所述第二MOS管的第一极接地，所述第二MOS管的第二极与每一闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第二MOS管的第三极与所述充放电控制单元的输出端连接。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述检测单元包括：第一检测器，其中：所述第一检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第一检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述充放电控制单元包括：第一控制器和第二控制器，其中：所述第一控制器的输入端与所述第一检测器的输出端连接，所述第一控制器的输出端与所述第一MOS管的第三极连接；所述第二控制器的输入端与所述第一检测器的输出端连接，所述第二控制器的输出端与所述第二MOS管的第三极连接。5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述检测单元包括：第二检测器和第三检测器，其中：所述第二检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第二检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述第三检测器的输入端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接，所述第三检测器的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第三检测器的使能端与所述充放电控制单元的输出端连接；所述第二检测器的使能端连接有外接使能信号。7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述充放电控制单元包括：第一控制器和第二控制器，其中：所述第一控制器的输入端与所述第二检测器的输出端连接，所述第一控制器的输出端与所述第一MOS管的第三极连接；所述第二控制器的输入端与所述第三检测器的输出端连接，所述第二控制器的输出端与所述第二MOS管的第三极连接。8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第一控制器的输出端与所述第三检测器的使能端连接。9.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管的类型与所述第二MOS管的类型不同。10.一种自适应的充放电设备，其特征在于，所述设备包括：控制器和处理器，其中：所述控制器，用于给存储阵列的每一闪存单元对应的电容预充电后，监测每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值；所述处理器，用于基于每一所述闪存单元对应的电容的第一电压值与第一预设阈值电压的关系，控制每一所述闪存单元对应的电容的充...

【专利技术属性】
技术研发人员：王礼维，苗林，谭经纶，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42