【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片、其制绒方法及太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池
,特别涉及一种太阳能电池片、其制绒方法及太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池的生产工艺主要包括:硅片的制绒、扩散、后清洗/刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷与烧结。具体如下:①制绒是指在硅片表面进行织构化处理,使硅片表面形成绒面,从而形成有效的减反射效果。②扩散的目的是形成PN结:在高温下,利用杂质源对制绒后硅片进行处理,具体的,将P型硅片放入扩散炉内,通过硅原子之间的空隙使N型杂质原子由硅片表面向内部扩散,形成PN结,使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样便形成电流,使硅片具有光伏效应。③扩散过程中,硅片侧边和背部边缘不可避免会扩散上杂质原子,该区域形成的PN结易造成短路通路,通过后清洗/刻蚀处理去除边缘处的PN结导电层。④在硅片表面沉积一层减反射膜层,减少光的反射,起钝化作用,用以增大提高转换效率。⑤丝网印刷,通俗来讲就是为电池制造栅线电极,具体是利用丝网印刷工艺印刷导电银浆到硅片两个表面分别形成正电极和背电极,并利用铝浆印刷形成背电场;印刷形成的金属栅线负责把电池体内的光声电流引到电池外部,通常 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:a)对硅片表面进行碱处理,去除硅片表面的损伤层,并使硅片正面形成类金字塔绒面结构;b)对所述步骤a)得到的硅片酸洗后,在硅片正面沉积保护膜层;c)在所述保护膜层表面涂布光刻胶,曝光显影形成掩膜,并将掩膜未遮挡位置处的保护膜除去;所述掩膜遮挡在硅片正面需要印刷正电极栅线的位置;d)对所述步骤c)得到的硅片进行湿法黑硅刻蚀处理,在硅片正面未被掩膜遮挡的位置处形成微纳尺寸孔洞绒面结构;e)除去所述掩膜处的光刻胶及保护膜,得到太阳能电池片;所得太阳能电池片正面需要印刷正电极栅线的位置处为类金字塔绒面结构,其它位置处为微纳尺寸孔洞绒面结构。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:a)对硅片表面进行碱处理,去除硅片表面的损伤层,并使硅片正面形成类金字塔绒面结构;b)对所述步骤a)得到的硅片酸洗后,在硅片正面沉积保护膜层;c)在所述保护膜层表面涂布光刻胶,曝光显影形成掩膜,并将掩膜未遮挡位置处的保护膜除去;所述掩膜遮挡在硅片正面需要印刷正电极栅线的位置;d)对所述步骤c)得到的硅片进行湿法黑硅刻蚀处理,在硅片正面未被掩膜遮挡的位置处形成微纳尺寸孔洞绒面结构;e)除去所述掩膜处的光刻胶及保护膜,得到太阳能电池片;所得太阳能电池片正面需要印刷正电极栅线的位置处为类金字塔绒面结构,其它位置处为微纳尺寸孔洞绒面结构。2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤a)中:所述碱处理采用的处理剂包括碱金属氢氧化物和添加剂;所述添加剂为NNM-A2添加剂;所述碱金属氢氧化物在处理剂中的体积分数为10%~14%,所述添加剂在处理剂中的体积分数为0.4%~0.75%;所述碱处理的温度为75~85℃,时间为160~250s。3.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤d)中:所述湿法黑硅刻蚀处理包括:第一酸洗、沉银、挖孔、脱银、第二酸洗和扩孔处理;所述沉银包括第一沉银和第二沉银;所述第一沉银中:采用的沉银剂为氢氟酸与NNM-B1控制剂的混合液;其中,HF在所述混合液中的体积分数为8%~10%;NNM-B1控制剂在所述混合液中的体积分数为0.2%~0.45%;第一沉银处理的温度为20~30℃,时间为90~140s;所述第二沉银中:采用的沉银剂为氢氟酸与NNM-B1刻蚀剂的混合液;其中,HF在所述混合液中的体积分数为0.4%~1.0%;NNM-B1刻蚀剂在所述混合液中的体积分数为0.01%~0.03%;第二沉银处理的温度为20~30℃,时间为50~100s。4.根据权利要求3所述的制绒方法,其特征在于,所述挖孔处理中:采用的挖孔处理剂包括:HF、H2O2、NNM-C2调节剂和NNM-D1调节剂;所述HF在挖孔处理剂中的体积分数为8%~11.5%;所述H2O2在挖孔处理剂中的体积分数为32.5%~37.0%;所述NNM-C2调节剂在挖孔处理剂中的体积分数为0.4%~0.7%;所述NNM-D1调节剂在挖孔处理剂中的体积分数为0.15%~0.35%;所述挖孔处理的温度为30~35℃,时间为190~250s;所述扩孔处理中:采用的扩孔剂为HNO3与HF的混合酸液;所述HNO3在混合酸液中的体积分数为34%~38%;所述HF在混合酸液中的体积分数为5.0%~8.5%;所述扩孔处理的温度为8~12℃,时间为80~130s。5.根据权利要求3所述的制绒方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李超,付少剑,黄明,徐昆,孟少东,雷佳,
申请(专利权)人:江西展宇新能源股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江西,36
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